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BTS282Z E3230 TO220-7のN-Channel MOSFET 49V 80AのトランジスターFETs
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BTS282Z E3230 TO220-7のN-Channel MOSFET 49V 80AのトランジスターFETs
仕様
型式番号 :
BTS282Z E3230
原産地 :
マレーシア
MOQ :
10pieces
支払の言葉 :
T/T、ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :
500000PCS
受渡し時間 :
2-15days
包装の細部 :
標準パッケージ
家族 :
ディスクリート半導体製品
部門 :
電子部品-MOSFET（金属酸化物）
シリーズ :
力MOSFET
基礎部品番号 :
BTS282Z
細部 :
TRANS MOSFET N-CH 49V 80A自動車7 Pin （7+Tab） TO-220
タイプ :
トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
記述 :
N-Channel MOSFET 49V 80A
パッケージ :
TO220-7
タイプの取付け :
穴を通して
ストック :
ストック
記述

BTS282Z E3230 TO220-7のN-Channel MOSFET 49V 80AのトランジスターFETs

インフィニオン・テクノロジーズからのBTS282ZE3230AKSA2力MOSFET。その最高の電力損失は300000 MWである。

部品を保障するためにはバルク包装によって、このプロダクト入って来多くをやや加えるために包む管傷つけられない

外の管で緩い部品を貯えることによる保護。

このMOSFETのトランジスターは-40 °Cから175 °C.の実用温度範囲を備えている。

このNチャネルMOSFETのトランジスターは強化モードで作動する。

指定:

部門
分離した半導体製品
　
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
Mfr
インフィニオン・テクノロジーズ
シリーズ
TEMPFET®
パッケージ
管
部分の状態
時代遅れ
FETのタイプ
N-Channel
技術
MOSFET （金属酸化物）
流出させなさいに源の電圧（Vdss）
49ボルト
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
80A （Tc）
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
4.5V、10V
（最高） @ ID、VgsのRds
6.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs （（最高） Th） @ ID
2V @ 240µA
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
232 NC @ 10ボルト
Vgs （最高）
±20V
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
4800 pF @ 25ボルト
FETの特徴
ダイオードを感じる温度
電力損失（最高）
300W （Tc）
実用温度
-40°C | 175°C （TJ）
タイプの取付け
穴を通して
製造者装置パッケージ
P-TO220-7-230
パッケージ/場合
TO-220-7

環境及び輸出分類
属性 記述
RoHSの状態 迎合的なROHS3
湿気感受性のレベル（MSL） 1 （無制限）
範囲の状態 変化しないに達しなさい
ECCN EAR99
HTSUS

8541.29.0095

部品番号 BTS282Z E3230
基礎部品番号 BTS282Z
EU RoHS 免除と迎合的
ECCN （米国） EAR99
部分の状態 活動的
HTS 8541.29.00.95

BTS282Z E3230 TO220-7のN-Channel MOSFET 49V 80AのトランジスターFETsBTS282Z E3230 TO220-7のN-Channel MOSFET 49V 80AのトランジスターFETs

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BTS282Z E3230 TO220-7のN-Channel MOSFET 49V 80AのトランジスターFETs

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製品詳細
型式番号 :
BTS282Z E3230
原産地 :
マレーシア
MOQ :
10pieces
支払の言葉 :
T/T、ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :
500000PCS
受渡し時間 :
2-15days
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Angel Technology Electronics Co

Verified Supplier
4 年数
hongkong, shenzhen
ありがとうございました 2006
事業形態 :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent
主な製品 :
, ,
年間総額 :
80 millions-500 millions
従業員数 :
20~200
認証レベル :
Verified Supplier
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