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インフィニオンHEXFETパワーMOSFETNチャネル55V30A DPAK IRLR3915TRPBF
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インフィニオンHEXFETパワーMOSFETNチャネル55V30A DPAK IRLR3915TRPBF
仕様
型式番号 :
IRLR3915TRPBF
原産地 :
中国
MOQ :
10
支払の言葉 :
T/T、ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :
500000PCS
受渡し時間 :
2-15days
包装の細部 :
標準パッケージ
家族 :
ディスクリート半導体製品
部門 :
電子部品-MOSFET（金属酸化物）
シリーズ :
HEXFET MOSFET（金属酸化物）
基礎部品番号 :
IRLR3915
細部 :
Nチャンネル55V 30A（Tc）120W（Tc）表面実装D-Pak
タイプ :
トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
記述 :
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
パッケージ :
TO-252-3、DPak（2リード+タブ）、SC-63
タイプの取付け :
表面の台紙
ストック :
ストック
記述

IRLR3915TRPBF Infineon Technologies / International Rectifier IOR HEXFET MOSFET N-Channel 55V 30ADPAKディスクリート半導体製品

Nチャンネル55V 30A（Tc）120W（Tc）表面実装D-Pak

説明

このHEXFET®パワーMOSFETは、最新の処理技術を利用して、シリコン面積あたりのオン抵抗を非常に低く抑えています。

この製品の追加機能は、175°Cの接合部動作温度、高速スイッチング速度、および改善された繰り返しアバランシェ定格です。これらの機能を組み合わせることで、この設計はさまざまなアプリケーションで使用できる非常に効率的で信頼性の高いデバイスになります。

特徴 ：

高度なプロセス技術超低オン抵抗175°C動作温度高速スイッチング反復アバランシェTjmaxまで許容D-PakIRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea

製品の技術仕様

部品番号 IRLR3915TRPBF
ベース部品番号 IRLR3915
EUのRoHS 免税に準拠
ECCN（米国） EAR99
部品ステータス アクティブ
HTS 8541.29.00.95
カテゴリー
ディスクリート半導体製品
　
トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
製造元
インフィニオンテクノロジーズ
シリーズ
HEXFET®
パッケージ
テープ＆リール（TR）
部品ステータス
アクティブ
FETタイプ
Nチャネル
テクノロジー
MOSFET（金属酸化物）
ドレインからソースへの電圧（Vdss）
55 V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
30A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
5V、10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs
14mOhm @ 30A、10V
Vgs（th）（Max）@ Id
3V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs（最大）
±16V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
1870 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力（最大）
120W（Tc）
作動温度
-55°C〜175°C（TJ）
取付タイプ
表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ
D-Pak
パッケージ/ケース
TO-252-3、DPak（2リード+タブ）、SC-63
基本製品番号
IRLR3915

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製品詳細
型式番号 :
IRLR3915TRPBF
原産地 :
中国
MOQ :
10
支払の言葉 :
T/T、ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :
500000PCS
受渡し時間 :
2-15days
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Angel Technology Electronics Co

Verified Supplier
4 年数
hongkong, shenzhen
ありがとうございました 2006
事業形態 :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent
主な製品 :
, ,
年間総額 :
80 millions-500 millions
従業員数 :
20~200
認証レベル :
Verified Supplier
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