仕様
パッケージの詳細 :
木製のケースの包装
供給能力 :
30の部分/部分每の 四分の一
最低注文量 :
1セット
配達時間 :
60 日
支払条件 :
L/C/T/t
産地 :
湖南,中国
タイプ :
誘導加熱
使用 :
堆積炉
ビデオ出勤検査 :
提供
機械試験報告 :
提供
基本構成要素 :
PLC
電圧 :
380
体重 (T) :
2つのT
パワー (kW) :
220
主要 な 売り物 :
競争力のある価格
設計温度 (°C) :
1250〜2200
心配 の 温度 :
900〜1200°C
圧力の上昇速度 (Pa/h) :
0.67Pa/h ((150Pa/24h)
加熱方法 :
抵抗/インダクション
職場の雰囲気 :
真空/CH4/C3H6/H2/N2/Ar
オーブンの種類 :
方形/丸 縦/水平
オーブンの冷却モード :
オーブンシェル水冷却
赤外線機器 :
単色/二色色計
温度均一性 :
±5
制限真空 度 (Pa) :
1-100
販売形態 :
普通の製品
基本部品の保証 :
1年
適用される産業 :
他の,半導体
記述
仕様:
バキューム堆積炉:
主に炭素-炭素複合材料の調製に使用され,堆積炉は主にグラフィートの表面にピロリティカルカーボンコーティングを調製するために使用されます.半導体装置と耐熱スクール材料.
パラメータ/モデル番号
JT-0305-C
JT-0505-C
JT-0608-C
JT-0608-C
JT-0812-C
JT-1120-C
JT-1218-C
JT-1520-C
作業領域の大きさ
φ×H(mm)
300×500
500×500
600×800
600×1200
800×1200
1100×2000
1200×1800
1500×2000
最高温度
(°C)
2300
2300
2300
2300
2300
2300
2300
2300
温度均一性 (°C)
±5
±5
±5/±75
±7.5/±10
±7.5/±10
±10/±15
±10/±15
±15/±20
制限真空度 (Pa)
1〜100
1〜100
1〜100
1〜100
1〜100
1〜100
1〜100
1〜100
制限真空度 (Pa)
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
加熱方法
抵抗/インダクション
抵抗/インダクション
抵抗/インダクション
抵抗/インダクション
抵抗/インダクション
抵抗/インダクション
抵抗/インダクション
抵抗/インダクション
半導体材料の薄膜の調製のためのCVDオーブンの堆積装置
設計温度
1250°C/1650°C/1800°C/2200°C
一般温度
900~1200°C
バキューム度
< 50Pa
圧力の上昇速度
6.67pA /h (または150Pa / 24h) 空炉の冷たい状態で
暖房モード
グラフィット抵抗式加熱またはインダクション式加熱,独立温度制御,良好な温度均一性
大気圏
真空 /CH4/C3H6/H2/N2/Ar
半導体材料の薄膜の調製のためのCVDオーブンの堆積装置
ガス制御モード
質量流量計制御,多チャネルガス経路,均質な流量場,沉積死角なし,良好な沉積効果;多段階で効率的な排気ガス処理システム,環境に優しい,掃除が簡単
オーブンの種類
方形,丸い,垂直または水平構造 (非標準設計),完全に閉ざされた堆積室,良好な密封効果
強力な汚染防止能力
オーブンの冷却モード
炉殻水冷却,外流速冷却システムが選択できます,短い冷却時間,高い生産
効率性
半導体材料の薄膜の調製のためのCVDオーブンの堆積装置
構造形
横向き - 側放出,垂直 - 上下放出
ロックモード
マニュアル/自動
殻材料
内部ステンレス鋼/全ステンレス鋼
断熱材料
炭フェルト/グラフィットフェルト/炭素繊維で固められたフェルト
赤外線機器
単色計/二色計
電源
KGPS/IGBT (中周波暖房のみに適している)
製品パラメータ:
 
 
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半導体材料の薄膜の調製のためのCVDオーブンの堆積装置

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最低注文量 :
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配達時間 :
60 日
支払条件 :
L/C/T/t
産地 :
湖南,中国
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半導体材料の薄膜の調製のためのCVDオーブンの堆積装置

Hunan Jingtan Automation Equipment Co., LTD.

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1 年数
hunan, zhuzhou
ありがとうございました 2021
主な製品 :
, ,
年間総額 :
2million -5million
従業員数 :
40~60
認証レベル :
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