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Si シリコン・ウェーファー 8インチ 直径 200mm 厚さ 700um Pタイプ Nタイプ シングルポーリング ダブルポーリング
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仕様
モデル番号 :
シ-8インチ
原産地 :
中国
MOQ :
25個
受渡し時間 :
5 - 30日
包装の細部 :
100等級のクリーン ルームの25pcs casstle
材料 :
シ シングルクリスタル
産業 :
IC半導体ウエファー,太陽光,光学ガラス
適用する :
IC,ソーラーウェーバー,光学レンズ
サイズ :
直径200mm
方法 :
CZ,Fz
タイプ :
ドーパント:P (B),N (P)
グレード :
プライムグレード/テストグレード
記述

製品説明

シリコンウェーファー 8インチ 直径 200mm 厚さ 700um P型 N型 シングルポーリング ダブルポーリング

シリコンウエフルは,通常,高純度単結晶シリコン棒から切断される.高純度単結晶シリコン棒は,Czochralskiプロセスまたは浮遊ゾーンプロセスで準備される.そしてシリコン・ウェーフを作るために切って磨きます一般的なシリコンウエファの直径は,3インチ,4インチ,6インチ,8インチ,12インチなどである.ウエファの厚さは一般的に0.5-0.7mmである.シリコンウエーファーには様々な不純元素 (en型またはp型シリコン材料を作成するために電気を調整する.これは様々な集積回路と半導体装置の製造に重要です表面の欠陥や汚染を除去し,表面が平らで滑らかであることを確保するために,シリコン・ウェーファーの表面は磨き,清掃,その他の処理が必要です.

Si シリコン・ウェーファー 8インチ 直径 200mm <111>厚さ 700um Pタイプ Nタイプ シングルポーリング ダブルポーリング

特徴

1.結晶構造:シリコンは,通常のダイヤモンド結晶構造と原子の秩序ある配置を持つ典型的な元素半導体であり,その電子特性の良好な基盤を提供します.
2.電子特性:シリコンの帯域幅は約1.12 eVで 隔熱器と電導体の間にある. 外部電場の影響で電子穴ペアを生成し再結合することができる.半導体性能が良い.
3.ドーピングシリコンは,その導電性タイプと抵抗性を調整するために,グループIII (例えばB) またはV (例えばP,As) の不純元素を組み込むことで調整することができる.各種半導体装置の製造が可能とする.
4.酸化性:シリコンは高温で酸素と化学反応し,密集した均質な二酸化シリコン (SiO2) フィルムを形成し,シリコンベースの集成回路プロセスの基礎を築くことができる.
5.メカニカルプロパティシリコンは硬さ,強度,化学的安定性が高く,その後切断,磨き,その他の加工プロセスに便利です.
6.サイズ:ワッフルは,異なるプロセスのニーズを満たすために,直径2インチから12インチまでのディスクに調製することができます.

Si シリコン・ウェーファー 8インチ 直径 200mm <111>厚さ 700um Pタイプ Nタイプ シングルポーリング ダブルポーリング

テクニカルパラメータ

Si シリコン・ウェーファー 8インチ 直径 200mm <111>厚さ 700um Pタイプ Nタイプ シングルポーリング ダブルポーリング

申請

1.集積回路:シリコンウエファは,様々なデジタル統合回路 (CPU,メモリなど) とアナログ統合回路 (運用増幅器やセンサーなど) の製造のためのコアキャリアである.
2.太陽電池:シリコンウエファは太陽電池モジュールとして製造され,分散型太陽光発電と電源供給に広く使用されています.
3.マイクロ電子機械システム (MEMS):マイクロアクチュエーターやセンサーなどのMEMSデバイスは,シリコン材料の機械的特性とマイクロ製造技術を使用して製造される.
3.電力電子機器:シリコンベースの高温耐性および高容量電力を搭載した幅広い電力半導体装置を製造する.
4.センサー:シリコンベースのセンサーは,電子機器,産業制御,自動車電子機器,圧力センサー,加速センサーなどの分野で広く使用されています.

Si シリコン・ウェーファー 8インチ 直径 200mm <111>厚さ 700um Pタイプ Nタイプ シングルポーリング ダブルポーリング

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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

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8 年数
shanghai, shanghai
ありがとうございました 2013
事業形態 :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
主な製品 :
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年間総額 :
1000000-1500000
認証レベル :
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