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半断熱型SiCは,P型N型SEMI基板のSi化合物ウェッファーで,厚さ500mm
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仕様
モデル番号 :
SiCはSiの化合物である
産地 :
中国
支払条件 :
T/T
納期 :
2〜4週間
基板 :
シリコン
エピタキシアル層 :
シリコンカービッド
電気特性 :
Semi-Insulating
直径: :
4インチ 6インチかそれ以上
厚さ :
500um/ 625um/ 675um
カスタマイズされた :
支援
記述

半絶縁 SiC 複合スプレー, Si ウェーファー, シリコン ウェーファー, 複合スプレー, Si 複合スプレー, シリコン カービッド ベース, P グレード, D グレード, 4 インチ, 6 インチ, 4H-SEMI

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コンパウンド・ウエファーについて

  • 製造のためにSiCをSi化合物ウエファーに使用する

  • デザインアートワークでカスタマイズされたものをサポートします

  • 高品質で,高性能アプリケーションに適しています

  • 高硬さと耐久性,高熱伝導性

  • 高電圧や高周波装置,RF装置などに広く使用されています

複合ウエーファー

わかった半絶縁型SiCは高性能な先端半導体材料です

シリコン基板と半絶縁性シリコンカービッド基板の両方の利点がある.

熱伝導性が優れていて 機械的な強度も高い

高温および高周波の条件下で低流出電流を大幅に削減し,デバイスの性能を効果的に改善することができます.

これは優れた半導体材料です

通常は電源電子,無線周波数,光電子機器,特に優れた熱分散と電気安定性を必要とする高需要アプリケーションで使用されます.

シリコン・ウェーバーやシリコン・カービッド・ウェーバーと比較して,その生産コストは比較的高いものの,装置の効率と安定性の信頼性を向上させる利点により,高性能技術でますます注意と好意を集めています.

したがって,Si複合ウエフルの半絶縁型SiCは,将来の高級技術アプリケーションで幅広い開発見通しを持っています.

複合ウエフルの詳細

ポイント 仕様
直径 150 ± 0.2 mm
SiCポリタイプ 4H
SiC抵抗性 ≥1E8 Ω·cm
SiC層の移転厚さ ≥0.1 μm
無効 ≤5 ea/wafer (2 mm > D > 0.5 mm)
前面の荒さ Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm)
Si オリエンテーション <111>/<100>/<110>
Si型 P/N
フラット/ノッチ フラット/ノッチ
エッジ・チップ・スクラッチ・クラック (視覚検査) ない
TTV ≤5 μm
厚さ 500/625/675 ± 25 μm

複合ウエフルの他の写真

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*ご注文の場合は,ご自由にご連絡ください.

私達について
私たちの企業,ZMSHは,半導体基板と光学結晶材料の研究,生産,加工,販売に特化した.
精密な加工機器と 試験機器を備えています標準化されていない製品を加工する非常に強力な能力を提供しています.
顧客のニーズに応じて様々な新しい製品を研究,開発,デザインすることができます.
同社は"顧客を中心に 品質を重視する"という原則を堅持し,光電子材料の分野でトップレベルのハイテク企業になるよう努めます.

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よくある質問

1. Q: Si ワッフル上の SiC の共通表面向きは?

A: SiCの共通方向は,シリコン基板に並べた (111) です.

2. Q: Si ワッフルに SiC の特殊な焼却要件がありますか?
A: そう です.材料 の 特性 を 改善 し,欠陥 を 減らす ため に 高温 で 焼却 する こと が よく 必要 です.

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基板 :
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エピタキシアル層 :
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