高性能MOSFETのトランジスターを捜している電子工学の熱狂者であるか。IRFZ44Nよりそれ以上に見てはいけない。この強力な装置は電源および運動制御からのオーディオ・アンプおよびLEDの運転者へいろいろ適用のための完全な解決、である。IRFZ44Nの最も重要な利点の1つは最低の熱放散の有効な力の移動を可能にする低いオン抵抗である。このMOSFETは連続的な現在の55Aとそれを強力な適用にとって理想的にさせる実用温度の175°Cまで扱うことができる。
印象的な性能に加えて、IRFZ44Nはまた非常に使いやすい。その簡単な2ピン パッケージはあなたのプロジェクトに耐久の構造は長続きがする信頼性を保障するが、速く、簡単な統合を保障する。但し、あらゆる電子部品と同じように、IRFZ44Nに限定がある。例えば、ゲートの境界の電圧は比較的高いドライブ電圧がつけるように要求しそれを低電圧回路のためにより少なく適したようにする。さらに、高い入力キャパシタンスは高周波適用の使用を限るかもしれないより長い転換の時をもたらす場合がある。
これらの限定にもかかわらず、IRFZ44Nは高性能および信頼できるMOSFETのトランジスターを追求している電子工学の熱狂者のための優秀な選択に残る。並ぶものがない力および簡易性によって、IRFZ44Nはあなたのプロジェクトに権限を与え、次のレベルにあなたの設計を取って確実である。
技術的な特徴: