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STB80PF55T4 トランジスタICチップ PチャネルMOSFET 高電力・効率性
STB80PF55T4 トランジスタICチップ PチャネルMOSFET 高電力・効率性
仕様
モデル番号 :
STB80PF55T4
産地 :
中国
製造者 :
STMマイクロ電子機器
部品番号 :
STB80PF55T4
タイプ :
MOSFET
極性 :
P-Channel
特徴 :
高い 力 と 効率
入手可能 :
そうだ
ストック :
ストック
最低注文量 :
1
記述

電力用途のための高性能STB80PF55T4PチャネルMOSFET

STMicroelectronics STB80PF55T4は,効率的なスイッチと高電流処理能力を必要とする電力アプリケーションのために設計された高性能PチャネルMOSFETである.断熱電圧55V,連続流出電流80AこのMOSFETは,厳しい環境でも堅牢なパフォーマンスを提供します. STB80PF55T4は16mOhmsの低排水源抵抗 (Rds On) を備えています.電力損失を最小限に抑え,システム全体の効率を向上させるシングルチャネル構成により,様々な電源スイッチアプリケーションに適しています.

55V,80A,Low Rds On - 高電力システムに最適

このMOSFETは,ゲート・ソースの電圧範囲が -16V~+16Vで,デバイスを動かすのに柔軟性を提供し,既存の回路設計に簡単に統合することができます.強化モード操作は,信頼性と制御された切り替え行動を確保このMOSFETは,優れた性能と信頼性で知られるシリコン (Si) テクノロジーに基づいています.便利な設置とスペース節約の利点-55°Cから+175°Cまでの幅広い温度範囲で動作するSTB80PF55T4は,厳しい環境に適しており,厳しい作業条件に耐えることができます.

 

STB80PF55T4 MOSFETは,300Wの電源消耗率で,高い電源消耗に対応するように設計されています. これにより,パフォーマンスを損なうことなく重要な電源負荷に対応できます.昇降時間は190秒,降降時間は80秒このMOSFETは,高速で効率的なスイッチ機能を保証し,システムの性能向上に貢献します. 長さ10.4mm,高さ4.6mmで,STB80PF55T4は,コンパクトな形状を持っています電力供給,モーター制御,または他の高電力アプリケーションで働いています.STMicroelectronics STB80PF55T4 PチャネルMOSFETは高電力処理を可能にします低抵抗で効率的なスイッチングで デザインのニーズを満たします

テクニカル特徴

特徴 仕様
製造者 STMマイクロ電子機器
製品カテゴリー MOSFET
テクノロジー そうだ
マウントスタイル SMD/SMT
パッケージ/ケース TO-263-3
トランジスタの極性 Pチャンネル
チャンネル数 1 チャンネル
Vds - 排水源断裂電圧 55V
Id - 連続流出電流 80A
Rds ON - 排水源抵抗 16mOhms
Vgs - ゲートソースの電圧 -16V, +16V
最低動作温度 -55°C
最大動作温度 +175°C
Pd - エネルギー分散 300W
チャンネルモード 強化
シリーズ STB80PF55T4
パッケージ リール,カットテープ,マウスリール
構成 シングル
秋の時間 80 ns
前向トランスコンダクタンス - Min 32 S
高さ 4.6mm
長さ 10.4mm
昇る時間 190 ns
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STB80PF55T4 トランジスタICチップ PチャネルMOSFET 高電力・効率性

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製品詳細
モデル番号 :
STB80PF55T4
産地 :
中国
製造者 :
STMマイクロ電子機器
部品番号 :
STB80PF55T4
タイプ :
MOSFET
極性 :
P-Channel
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Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

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shenzhen
ありがとうございました 2008
事業形態 :
Manufacturer, Exporter, Trading Company, Seller
主な製品 :
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従業員数 :
25~30
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