仕様
原産地 :
原物
MOQ :
交渉可能
受渡し時間 :
交渉可能
支払の言葉 :
T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :
100000
型式番号 :
APT50GT60BRDQ2G
部品番号 :
APT50GT60BRDQ2G
製造業者 :
Microsemi Corporation
記述 :
IGBT 600V 110A 446W TO247
部門 :
単一トランジスター- IGBTs -
家族 :
単一トランジスター- IGBTs -
シリーズ :
落雷IGBT®
記述

APT50GT60BRDQ2G IGBT パワーモジュール トランジスタ IGBT シングル

APT50GT60BRDQ2Gの仕様

部品のステータス アクティブ
IGBTの種類 NPT
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) 600V
電流 - コレクタ (Ic) (最大) 110A
電流 - コレクタパルス (Icm) 150A
Vce(on) (最大) @ Vge、Ic 2.5V @ 15V、50A
パワー - 最大 446W
スイッチングエネルギー 995μJ (オン)、1070μJ (オフ)
入力方式 標準
ゲートチャージ 240nC
Td (オン/オフ) @ 25°C 14ns/240ns
試験条件 400V、50A、5オーム、15V
逆回復時間 (trr) 22ns
動作温度 -55℃~150℃(TJ)
取付タイプ スルーホール
パッケージ・ケース TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247 [B]
出荷 UPS/EMS/DHL/フェデックスエクスプレス。
状態 新しいオリジナル工場

APT50GT60BRDQ2G パッケージング

APT50GT60BRDQ2G 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ IGBT モジュール マイクロセミ株式会社 50GT60APT50GT60BRDQ2G 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ IGBT モジュール マイクロセミ株式会社 50GT60APT50GT60BRDQ2G 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ IGBT モジュール マイクロセミ株式会社 50GT60

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REF5050AIDGKR IPC100N04S5-1R9 SN74AHC1G125DBVR
IPC100N04S5-1R9 SN74AHC1G125DBVR MAX9737ETG+T

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