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NPT2010電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs RFの破片
NPT2010電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs RFの破片
仕様
部品番号 :
NPT2010
製造業者 :
M/A Com技術の解決
記述 :
HEMT N-CH 48V 100W DC-2.2GHZ
部門 :
トランジスター- FETs、MOSFETs - RF
家族 :
トランジスター- FETs、MOSFETs - RF
原産地 :
原物
MOQ :
交渉可能
受渡し時間 :
交渉可能
支払の言葉 :
T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :
100000
記述

NPT2010指定

部分の状態 活動的
トランジスター タイプ HEMT
頻度 0Hz | 2.2GHz
利益 15dB
電圧-テスト 48V
現在の評価 -
雑音指数 -
現在-テスト 600mA
パワー出力 95W
評価される電圧- 48V
パッケージ/場合 -
製造者装置パッケージ -
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

NPT2010包装

検出

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製品詳細
部品番号 :
NPT2010
製造業者 :
M/A Com技術の解決
記述 :
HEMT N-CH 48V 100W DC-2.2GHZ
部門 :
トランジスター- FETs、MOSFETs - RF
家族 :
トランジスター- FETs、MOSFETs - RF
原産地 :
原物
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NPT2010電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs RFの破片

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Active Member
3 年数
ありがとうございました 2008
事業形態 :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Seller
主な製品 :
, ,
従業員数 :
80~100
認証レベル :
Active Member
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