部分の状態 | 活動的 |
---|---|
FETのタイプ | 2 N-Channel (二重) |
FETの特徴 | 論理のレベルのゲート |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 100V |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 1.8A |
(最高) @ ID、VgsのRds | 195 mOhm @ 2.5A、10V |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 3.5V @ 250µA |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 8nC @ 10V |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | - |
パワー最高 | 1.3W |
実用温度 | -55°C | 150°C (TJ) |
タイプの取付け | 表面の台紙 |
パッケージ/場合 | 二重PowerPAK® 1212-8 |
製造者装置パッケージ | 二重PowerPAK® 1212-8 |
郵送物 | 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。 |
条件 | 新しい元の工場。 |