注文の機械で造られた部品のイオンImplantersのためのモリブデンの部品
製品の説明
イオン・インプランテーションは含んでいる衝撃するために半導体の、タングステン ワイヤーを使用して達成するのに電子を出すように特定の不純物の要素を、ケイ素の単結晶のウエファーの表面に当るために静電気分野によって加速されるイオン化された特定の不純物原子に終ってそして半導体の内部に陰極として添加を使用するガスの分子をイオン・インプランテーション機械を現代集積回路の製造業の非常に重要な技術伝導性の特性をおよび変える*結局トランジスター構造を形作ることであり。
血しょうへのイオン源の転換のためにイオンは2000°Cのイオン ビームの噴火より多くの実用温度を作り出す
またもっと大きイオン運動エネルギーを発生させる、一般的な金属はすぐに溶解を燃やす、イオン ビームの噴火の方向を維持し、部品の耐久性、タングステンのモリブデンを高める従って高質量密度の不活性の金属のための必要性は重要性をもつ。
イオン・インプランテーションのモリブデンの一部には使用される材料は従来のタングステンおよびモリブデン材料プロセスのために、良い結晶化を含んで、合金になる処置、真空の焼結および熱い地殻均衡焼結のdensification、二次穀物洗練および管理された圧延最大限に活用される
一般に生命を改善する技術、高温抵抗および抵抗従来のタングステンおよびモリブデン材料のはうため。
モリブデンASTM B387
TABLE1化学条件 | ||||||
要素 | 構成、% | |||||
物質的な数 | ||||||
360 | 361 | 363 | 364 | 365 | 366 | |
C | 0.030max | 0.010max | 0.010-0.030 | 0.010-0.040 | 0.010max | 0.030max |
O、MAXA | 0.0015 | 0.0070 | 0.0030 | 0.030 | 0.0015 | 0.0025 |
N、MAXA | 0.002 | 0.002 | 0.002 | 0.002 | 0.002 | 0.002 |
Fe、MAX | 0.010 | 0.010 | 0.010 | 0.010 | 0.010 | 0.010 |
NI、MAX | 0.002 | 0.005 | 0.002 | 0.005 | 0.002 | 0.002 |
Si、MAX | 0.010 | 0.010 | 0.010 | 0.005 | 0.010 | 0.010 |
チタニウム | … | … | 0.40-0.55 | 0.40-0.55 | … | … |
W | … | … | … | … | … | 27-33 |
Zr | … | … | 0.06-0.12 | 0.06-0.12 | … | … |
Mo | バランス | バランス | バランス | バランス | バランス | バランス |
分析の未決の公認方法、偏差単独でこれらの限界のsahll拒絶のための原因ではないため。
点検の分析のTABLE2許された変化 | |||
物質的いいえ。 | 点検の分析の限界、最高か範囲、% | 点検の分析、%の許された変化 | |
C | 360、363、364、366、361、365 | 0.010-0.040 0.010 |
±0.005 ±0.002 |
OA | 361 360、363、365、366 364 | 0.0070 0.0030 0.030 | + 10%の親類 + 10%の親類 + 10%の親類 |
NA | 361、364、365 360、363、366 | 0.0020 0.0010 | +0.0005 +0.0005 |
Fe | 360、361、363、364、365、366 | 0.010 | +0.001 |
NI | 360、361、363、364、365、366 | 0.005 | +0.0005 |
Si | 360、361、363、364、365、366 | 0.010 | +0.002 |
チタニウム | 363、364 | 0.40-0.55 | ± 0.05 |
W | 366 | 27.0-33.0 | ±1.0 |
Zr | 363,364 | 0.06-0.12 | ±0.02 |