製品の説明
イオン・インプランテーションは、タングステン トリウム ワイヤーを使用して特定の不純物の要素を、伝導性の特性を変え、結局トランジスター構造を形作るケイ素の単結晶のウエファーの表面に静電気分野によって加速されるイオン化された特定の不純物原子に終ってそして半導体に含んでいる衝撃するためにとして半導体を添加するのにイオンimplantersを使用する現代ICの製造業の非常に重要な技術すなわちガスの分子を電子を出す陰極である。イオン注入器はガス システム、真空システム、モーター システム、制御システムおよびbeamlineシステムから成っている。
beamlineシステムはイオン源、抽出の電極、質量分析計、後部の加速装置、充満中和システム、ウエファーの扱う人およびビーム ブロッカーを含んでいる。タングステン装置は厚い(2~45のmm)タングステンの版から半導体イオンimplantersのイオン源システムで主に使用されイオン化光線を制限し、保護するのにであるイオン源システムの主要部分作った。
半導体のイオン・インプランテーションのための高精度のタングステン装置の処理プロセスは→の焼結の→の完成品の→ワイヤー切断の→の機械化の転がり→の熱処理を押すタングステンの粉の→である。
特徴:
モリブデンの導波管の純度は99.95%の上にある;
その密度は10.2 g/cmの³より高い;
機械で造られ、優秀な表面の粗さと正確に;
モリブデンの導波管は強い耐久性である。
プロダクト細部
包装及び配達:
包装の細部 | 木の場合または要求あり次第。 |
配達細部 | 15-30日 |
適用企業
半導体材料の企業
海洋交通機関の企業
光学および光電子工学の企業
航空宇宙産業