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IMZC120R012M2HXKSA1
IMZC120R012M2HXKSA1
仕様
モデル番号 :
IMZC120R012M2HXKSA1
製造者 :
インフィニオン・テクノロジーズ
記述 :
IMZC120R012M2HXKSA1
供給者のデバイスパッケージ :
PG-TO247-4-17
シリーズ :
CoolSiC™
FETタイプ :
Nチャンネル
テクノロジー :
SiC (シリコン・カービッド・ジャンクション・トランジスタ)
流出電圧から源電圧 (Vdss) :
1200V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C :
129A （Tc）
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) :
15V、18V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs :
12mOhm @ 57A, 18V
Vgs(th) (最大) @ Id :
5.1V @ 17.8mA
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs :
124 nC @ 18 V
Vgs (最大) :
+23V、-7V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds :
4050 pF @ 800 V
電力損失（最高） :
480W (Tc)
記述

IMZC120R012M2HXKSA1-データシート

典型的な用途

- 切り替え損失は低い


- T までの過負荷操作vj= 200°C


- 短回路耐久時間 2 μs


- 頑丈なボディダイオード


- 熱性能向上のためのXT接続技術

 

IMZC120R012M2Hは,インフィニオン・テクノロジーズの1200V,12mΩ Nチャネルシリコンカービッド (SiC) MOSFETで,高効率,高電力密度のアプリケーション用に設計されている.

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IMZC120R012M2HXKSA1

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製品詳細
モデル番号 :
IMZC120R012M2HXKSA1
製造者 :
インフィニオン・テクノロジーズ
記述 :
IMZC120R012M2HXKSA1
供給者のデバイスパッケージ :
PG-TO247-4-17
シリーズ :
CoolSiC™
FETタイプ :
Nチャンネル
連絡するサプライヤー
IMZC120R012M2HXKSA1

Shikun Electronics Co., Ltd

Active Member
2 年数
guangdong, shenzhen
ありがとうございました 2007
主な製品 :
, ,
年間総額 :
11-22
従業員数 :
11~55
認証レベル :
Active Member
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