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BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001
仕様
メンター・パート# :
BSM300D12P2E001
製造者 :
ROHM 半導体
記述 :
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
ストック :
77
製品カテゴリー :
トランジスター- FETs、MOSFETs -配列
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C :
300A （Tc）
流出電圧から源電圧 (Vdss) :
1200V (1.2kV)
FETの特徴 :
シリコンカービード (SiC)
FETタイプ :
2 N-Channel （半分橋）
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds :
35000pF @ 10V
マウントタイプ :
シャーシマウント
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
モジュール
パワー - マックス :
1875W
製品の状況 :
アクティブ
供給者のデバイスパッケージ :
モジュール
Vgs(th) (最大) @ Id :
4V @ 68mA
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BSM300D12P2E001

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製品詳細
メンター・パート# :
BSM300D12P2E001
製造者 :
ROHM 半導体
記述 :
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
ストック :
77
製品カテゴリー :
トランジスター- FETs、MOSFETs -配列
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C :
300A （Tc）
連絡するサプライヤー
BSM300D12P2E001

Shikun Electronics Co., Ltd

Active Member
2 年数
guangdong, shenzhen
ありがとうございました 2007
主な製品 :
, ,
年間総額 :
11-22
従業員数 :
11~55
認証レベル :
Active Member
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