仕様
モデル番号 :
JY12M
原産地 :
中国
MOQ :
50pcs (利用できるサンプル)
支払の言葉 :
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力 :
1ヶ月あたりの10000pcs
受渡し時間 :
順序の量/Negotiableによって決まりなさい
包装の細部 :
輸出のための続き
名前 :
NとPチャンネル30V MOSFET
モデルNO :
JY12M
下水管源の電圧 :
30V
色 :
ブラック
記述

一般的な説明:

 

JY12MはNとPチャネル論理強化モードの電源フィールドトランジスタで,高細胞密度DMOSトレンチ技術を使用して製造されています.この高密度プロセスは,特に状態での抵抗を最小限にするために設計されています携帯電話やノートPCなどの低電圧アプリケーションに特に適しています.と低線電力の損失は,非常に小さな輪郭表面マウントパッケージで必要.

 

特徴:

 

装置 RDS (オン)マックス 私はDMAX(25°C)
Nチャンネル 20mΩ@VGS=10V 8.5A
32mΩ@VGS=4.5V 7.0A
Pチャンネル 45mΩ@VGS=10V -5.5A
85mΩ@VGS=−4.5V -4.1A

*低入力容量

*高速切換速度

 

応用:

 

● 電力 管理
● DC/DC 変換器
● DC モーター コントロール
● LCD テレビ と モニター ディスプレイ インバーター
● CCFL インバーター

 

PIN 設定:

 

NとPチャンネル 30V MOSFET JY12M 3相Hブリッジ回路 BLDC モスフェットドライバー

 

絶対最大濃度 (Ta=25°C) ほかには記載がない場合)

 

パラメータ シンボル Nチャンネル Pチャンネル ユニット
10秒 安定して 10秒で 安定して
排気源電圧 VDSS 30 -30歳 V
ゲートソース電圧 VDSS ±20 ±20
連続流流 Ta=25°C 私はD 8.5 6.5 -7番目0 - 5つ3 A について
Ta=70°C 6.8 5.1 - 5つ5 - 4つ1
パルスドレイン電流 私はDM 30 -30歳
最大電力消耗 Ta=25°C PD 1.5 W
Ta=70°C 0.95
動作交差点温度 TJ -55~150 °C
熱抵抗と環境との交差点 RΘJA 61 100 62 103 °C/W
熱耐性結合とケース RΘJC 15 15 °C/W

 

 

SOP-8 パッケージ概要:

 

NとPチャンネル 30V MOSFET JY12M 3相Hブリッジ回路 BLDC モスフェットドライバー

薄い ミリメートル
ミニ マックス
A について 1.35 1.75
A1 0.10 0.25
B について 0.35 0.49
C について 0.18 0.25
D 4.80 5.00
E について 3.80 4.00
e 1.27BSC
H 5.80 6.20
h 0.25 0.50
L について 0.40 1.25
Θ

 

生産の詳細については,メールで私たちと連絡してください: ivanzhu@junqitradinig.com

 

 

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NとPチャンネル 30V MOSFET JY12M 3相Hブリッジ回路 BLDC モスフェットドライバー

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Changzhou Junqi International Trade Co.,Ltd

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5 年数
jiangsu, changzhou
ありがとうございました 2020
事業形態 :
Manufacturer, Exporter, Trading Company
主な製品 :
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年間総額 :
100-300
従業員数 :
>100
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