JY13MのNとPチャネル40VMOSFET
一般的な説明:
JY13Mは,NとPチャネル論理強化モードの電源フィールドトランジスタで,優れたRDS ((ON) と低ゲート充電を提供することができます.補完的なMOSFETは,Hブリッジで使用できます.インバーターおよびその他の用途.
特徴:
装置 | VBR(DSS) | RDS (オン) マックスTJ=25°C | パッケージ |
Nチャンネル | 40V | < 30mΩ@VGS=10V,ID=12A | TO252-4L |
<40mΩ@VGS=4.5V,ID=8A | |||
Pチャンネル | -40V | < 45mΩ@VGS=-10V,ID=-12A | |
<66mΩ@VGS=−4.5V,ID=−8A |
低入力容量
快速な切り替え速度
ピン設定:
絶対最大濃度 (Ta=25°C) は,別記がない限り)
パラメータ | シンボル | Nチャンネル | Pチャンネル | ユニット | |
排気源電圧 | VDSS | 40 | -40歳 | V | |
ゲートソース電圧 | VDSS | ±20 | ±20 | ||
連続 排水電流 |
タ=25oC について | 私はD | 12 | -12 | A について |
タ=100oC について | 12 | -12 | |||
パルスドレイン電流 | 私はDM | 30 | -30歳 | ||
最大電源 消化 |
タ=25oC について | PD | 2 | W | |
Ta=70oC について | 1.3 | ||||
交差点 と 貯蔵 温度範囲 |
TJTSTG | -55から150 | oC について | ||
熱耐性 アムビントへの交差点 |
RθJA | 10s | 25 | oC/W | |
安定して | 60 | ||||
熱耐性 ケースへの交差点 |
RθJC | 5.5 | 5 | oC/W |
電気特性 (Ta=25°C,別記がない限り)
TO252-4L パッケージ概要: