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HMC849ALP4CE 24 Gbps 高速SPDTスイッチ 低挿入損失 3.3V/5V 操作 幅広く 高隔離 急速スイッチ&ESD保護
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仕様
型番 :
HMC849ALP4CE
産地 :
中国
最低注文量 :
1pcs
記述

HMC849ALP4CE 24 Gbps 高速 SPDT スイッチ、低挿入損失、3.3V/5V 動作、広帯域幅、高アイソレーション、高速スイッチング、ESD 保護

特徴

高アイソレーション：最大 60 dB

シングルポジティブ制御：0/+3V ～ +5V

高入力 IP3：+52 dBm

非反射設計

“オールオフ” 状態

16 リード 4x4 mm QFN パッケージ：16 mm²

代表的な用途

HMC849ALP4CE は以下に最適です:

• セルラー/4G インフラ

• WiMAX、WiBro、固定無線

• 車載テレマティクス

• モバイル無線

• 試験装置

概要

HMC849ALP4CE は、低コストのリードレス表面実装パッケージに収められた、高アイソレーション非反射 DC ～ 6 GHz GaAs pHEMT SPDT スイッチです。このスイッチは、セルラー/WiMAX/4G インフラ用途に最適で、最大 60 dB のアイソレーション、0.8 dB の低挿入損失、+52 dBm の入力 IP3 を実現します。5 ～ 6 GHz WiMAX 帯域まで優れた電力処理能力を備え、P1dB 圧縮点は +31 dBm です。オンチップ回路により、非常に低い DC 電流で 0/+3V または 0/+5V の単一正電圧制御が可能です。イネーブル入力 (EN) をハイに設定すると、スイッチは “オールオフ” 状態になります。

情報

カテゴリ
メーカー
Analog Devices Inc.
シリーズ
-
パッケージング
ストリップ
部品ステータス
アクティブ
RF タイプ
汎用
トポロジー
-
回路
SPDT
周波数範囲
0Hz ～ 6GHz
アイソレーション
56dB
挿入損失
1dB
テスト周波数
4GHz
P1dB
33dBm
IIP3
52dBm
特徴
-
インピーダンス
50Ohm
電圧 - 供給
3V ～ 5V
動作温度
-40°C ～ 85°C
実装タイプ
表面実装
パッケージ / ケース
16-VQFN 露出パッド
サプライヤデバイスパッケージ
16-QFN (4x4)
基本製品番号
HMC849

図面

HMC849ALP4CE 24 Gbps 高速SPDTスイッチ 低挿入損失 3.3V/5V 操作 幅広く 高隔離 急速スイッチ&ESD保護

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製品詳細
型番 :
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産地 :
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TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Verified Supplier
10 年数
ありがとうございました 2006
事業形態 :
製造業者
主な製品 :
, ,
年間総額 :
>10000000
従業員数 :
>20
認証レベル :
Verified Supplier
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