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35のKhzの超音波圧電気のトランスデューサー、小さい超音波溶接のトランスデューサー
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35のKhzの超音波圧電気のトランスデューサー、小さい超音波溶接のトランスデューサー
仕様
型式番号 :
QR-3035-4BZ
原産地 :
中国
MOQ :
1 pc
支払の言葉 :
トン/ Tは、ウェスタンユニオン
供給の能力 :
ヶ月あたり2000pcs
受渡し時間 :
3 仕事日
包装の細部 :
箱に詰め
製品名 :
超音波溶接のトランスデューサー
周波数 :
35 の KHz
出力パワー :
500 ワット
共同ボルト :
M10
陶磁器ディスク直径 :
30 mm
陶磁器ディスクのQty :
4本
キャパシタンス :
5.5-6.2nf
広さ :
6um
記述

1つの35KHZ 500wの超音波溶接のトランスデューサーはねじを接続しました

記述:

超音波トランスデューサーは性能の記述および評価が多くの変数を要求するエネルギー変換装置です。トランスデューサーの独特変数は共鳴頻度、頻度帯域幅、電気機械のカップリング係数、電気音響効率、機械質要因、インピーダンス特徴、周波数特性、指向性、伝達および受信の感受性が、等含まれています。異なった適用のためのトランスデューサーに異なったパフォーマンス パラメータがあります。例えば、放射性のトランスデューサーに大きい出力電力および高エネルギーの変換効率があるように、トランスデューサーは要求されます;そして変換のトランスデューサーに、広い条件は要求されます。周波数帯域および高い感受性および決断。従って、トランスデューサーの特定の設計過程で、トランスデューサーの関連した変数は特定の適用に従って合理的に設計されていなければなりません。

指定:

モデル QR-3035-4BZ
頻度 35khz
出力電力 500ワット
共同ボルト M10
陶磁器ディスク直径 30mm
陶磁器ディスクのQty 4pcs
キャパシタンス 5.5-6.2nf
広さ 6 um
適用 プラスチック溶接機

圧電気の陶磁器シートの工程:


圧電気の陶磁器シートのプロセスは次の通りあります:区分--混合し、粉砕--前焼結--二次粉砕--粒状化--形成--変位--磁器に焼結--形の処理--電極-高圧分極-老化テスト。

1. 原料:前処理は大きさの真中に方式の割合に従って、不純物を取除き、次にさまざまな原料、わずか添加物への注意置かれるべきです重量を量ります。
2.混合し、粉砕:目的は混合し、さまざまな原料を混合し、前発砲の完全な固相の反作用のために条件を準備することです。通常、乾燥した粉砕はまたは粉砕を採用されますぬらしました。乾燥した粉砕は小さいバッチで遂行し撹拌の球の製粉するか、または気流の微粉砕は高性能の大きいバッチで採用することができます。
3.前燃えます:目的は圧電気の製陶術を総合するために高温でさまざまな原料の固体段階の反作用を行なうことです。このプロセスは非常に重要です。直接最終製品の焼結の状態そして性能に影響を与えます。
4.第2良い粉砕:目的は再珪華前発射された圧電気の陶磁器の粉で、磁器の均一性能のよい基盤を築くために精巧にそれをひきます。
5.粒状化:目的はよい密度の流動粒子の高密度を形作ることです。
6.形成:目的は望ましい前もって形成されたブランクにペレタイジングを施された材料を押すことです。
7.歪むこと:目的は粒状化の間に加えられるブランクからつなぎを取除くことです。
8.磁器に焼結します:ブランクは高温の磁器に密封され、焼結します。このリンクは非常に重要です。
9.形の処理:必須の完成品のサイズへの完成品の粉砕。
10.電極:伝導性の電極は望ましい陶磁器シートの表面に置かれます。一般的な方法は銀製の層の浸潤、化学沈殿および真空メッキです。
11.高圧分極:陶磁器の内部範囲は陶磁器に圧電気の特性があるように、一直線に並びます。
12。老化テスト:陶磁器の性能が安定していた後期待された性能要件が満たされるかどうか見るために、表示器はテストされます。

1つの35KHZ 500wの超音波溶接のトランスデューサーはねじを接続しました

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製品詳細
型式番号 :
QR-3035-4BZ
原産地 :
中国
MOQ :
1 pc
支払の言葉 :
トン/ Tは、ウェスタンユニオン
供給の能力 :
ヶ月あたり2000pcs
受渡し時間 :
3 仕事日
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Hangzhou Qianrong Automation Equipment Co.,Ltd

Verified Supplier
7 年数
zhejiang, hangzhou
ありがとうございました 2008
事業形態 :
製造業者
主な製品 :
, ,
年間総額 :
3000000-5000000
認証レベル :
Verified Supplier
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