仕様
モデル番号 :
SS8050W
産地 :
唐原 中国
最低注文量 :
1000PCS
支払条件 :
T/T、ウェスタンユニオン
供給能力 :
5000個
配達時間 :
3weeks
パッケージの詳細 :
スタンダード
記述

SOT-323 高周波低騒音トランジスタ (PNP)

 

特徴
 
- コレクター電流 (IC=1.5A)
- SS8550Wの補完として
- コレクター消耗:PC=200mW (TC=25°C)
 
 
応用
 
- 高電流のコレクター
 
 
注文情報
 
タイプ番号:SS8050W
標識:Y1
パッケージコード:SOT-323
 

電気特性 @ Ta=25 °C 異なることが指定されていない限り

 

パラメータ シンボル 試験条件 ミニ タイプ マックス ユニット
コレクターベース断熱電圧 V(BR)CBO について IC=100μA,IE=0 40     V
コレクター・エミッター断熱電圧 V(BR)CEO IC=2mA,IB=0 25     V
エミッター・ベース断熱電圧 V (BR) EBO IE=-100μA,IC=0 5     V
コレクターの切断電流 ICBO VCB=40V,IE=0     0.1 μA
コレクターの切断電流 ICEO VCE=20V,IB=0     0.1 μA
エミッター切断電流 IEBO VEB=5V,IC=0     0.1 μA
DC電流増幅

 

hFE

VCE=1V,IC=100mA 120   400  
VCE=1V,IC=800mA 40      
コレクター・エミッター 飽和電圧 VCE (衛星) IC=800mA,IB=80mA     0.5 V
ベース・エミッター 飽和電圧 VBE (sat) IC=800mA,IB=80mA     1.2 V
ベース・エミッター電圧 VBE VCE=1V IC=10mA     1 V
移行頻度 fT VCE=10V,IC=50mA f=30MHz 100     メガHz

 

HFEの分類 (1)

 

ランク L について H J
範囲 120〜200 200〜350 300〜400

 

 

典型的な 特徴 @=25 °Cもしくは そうでない場合 指定された

SOT-323 SS8050W NPN シリコンエピタキシャル平面トランジスタ

 

SOT-323 SS8050W NPN シリコンエピタキシャル平面トランジスタ

 

 
 
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SOT-323 SS8050W NPN シリコンエピタキシャル平面トランジスタ

Guangdong Uchi Electronics Co.,Ltd

Verified Supplier
12 年数
guangdong, dongguan
ありがとうございました 2006
事業形態 :
Manufacturer, Exporter
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1,500,000-2,500,000
従業員数 :
138~168
認証レベル :
Verified Supplier
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