仕様
型式番号 :
NTC QV0402E180C150T
原産地 :
中国
MOQ :
1つの巻き枠
支払の言葉 :
T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :
1年ごとの100億
受渡し時間 :
2週
包装の細部 :
巻き枠のテープ
タイプ :
NTCのサーミスター
特徴 :
、excellenthumidityの抵抗ガラス層と塗られる、高いreliabilityandの安定性ののミニチュア サイズ、鉛無し、高密度SMTの取付けにとって理想的な優秀なsolderabili
広い実用温度範囲: :
-55℃~+125℃;
特徴2 :
さまざまな適用のために一定した一連のB
部品番号。 :
QV0402E180C150T
キャパシタンス@1MHz :
120pF、150pF
優秀な締め金で止める比率および速い応答時間 :
<0>
製造工程 :
総合的な方式
記述

NTC SMDのサーミスターの一時的な電圧抑制の多層破片のバリスター120pF 150pF

適用:携帯電話電池および充電器、温度によって償われる水晶発振器、LCD、コンピュータ マイクロプロセッサ保護回路、電子回路、集積回路(IC)および半導体デバイスの保護回路のプリンター温度修正、さまざまなプレーヤーの運転者の保護回路、program-controlled交換、DC/ACのコンバーターの過熱する保護回路。

一時的な電圧抑制NTC SMDのサーミスター、120pF多層破片のバリスター

パワーラインの保護のための破片のバリスター

 

一時的な電圧抑制NTC SMDのサーミスター、120pF多層破片のバリスター

 

 

①タイプ
QV 破片のバリスター

 

 

②外のり寸法L×W×T (mm)
0402 1.00×0.50×0.50
0603 1.60×0.80×0.80
0805 2.00×1.25×0.85

 

 

③アプリケーション コード
E ESDの保護および一時的な電圧抑制

 

 

 

④最高の連続的な定常電圧
5R5 5.5V
180 18V

 

⑤キャパシタンス@1MHz
C121 120pF
C150 15pF

 

⑥包装
T テープ
B 大きさ

 

 

2. 構造および次元

 

タイプ L (mm) W (mm) T (mm) a (mm)
0402 1.00±0. 10 0.50±0. 10 0.50±0. 10 0.25±0. 15
0603 1.60±0. 15 0.80±0. 15 0.80±0. 15 0.30±0.20
0805 2.00±0.20 1.25±0.20 0.85±0.20 0.50±0.30

 

部分

 

部品

破片のバリスターのためのZnOの半導体の製陶術

内部

電極

(AgかAg Pd)

末端の電極(Ag/Ni/Sn 3つの層)

 

3.Features
高密度土台のために適したSMDのタイプ
優秀な締め金で止める比率および速い応答時間(<0>
優秀なsolderability (NI、Snのめっき)
4. 適用
USB 2.0のファイヤーワイヤー、IEEE 1394のような高速データ ラインのためのESDの保護は、RFインターフェイスする
アンテナ、RFモジュール。ビデオおよび可聴周波ラインの入力/出力の港のためのESDの保護。
ICおよびトランジスターのための一時的な電圧保護。
、computer/EDP移動体通信で使用されるのLCDモジュール、手持ち型/携帯機器、PDAの
等.
 
 
一時的な電圧抑制NTC SMDのサーミスター、120pF多層破片のバリスター
 

 

高いサージ電流の抑制のための破片のバリスター

構造および次元

 

 高密度取付けの優秀な締め金で止める比率そして強いcapabilのtyiのためにの適したSMDのタイプ

電圧サージの抑制

 優秀なsolderabのlity (NI、iのSnのめっき)

適用

、PLC、自動車電子工学、工業計器、スマートなメートル、制御および測定装置、等セキュリティ システムのために使用される。

 

製品仕様書を見なさい

QV0402E180C150T.pdf

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一時的な電圧抑制NTC SMDのサーミスター、120pF多層破片のバリスター

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Guangdong Uchi Electronics Co.,Ltd

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12 年数
guangdong, dongguan
ありがとうございました 2006
事業形態 :
Manufacturer, Exporter
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1,500,000-2,500,000
従業員数 :
138~168
認証レベル :
Verified Supplier
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