仕様
型式番号 :
MBR20100
原産地 :
トンコワン中国
MOQ :
交渉
支払の言葉 :
T/T
供給の能力 :
1ヶ月あたりの2000000
受渡し時間 :
交渉
包装の細部 :
輸出パッケージ/交渉
タイプ :
ショットキー ダイオード
特徴 :
RoHSプロダクト
パッケージのタイプ :
穴を通して
最高。前方流れ :
30A、30A
最高。前方電圧 :
0.9V、0.9V
最高。逆電圧 :
200V
記述

高周波スイッチ電源用高電流抵抗ショットキーダイオード

MBR20100.pdf


典型的なショットキー整流器の内部回路構造は、N 型半導体基板に基づいており、その上にヒ素をドーパントとして含む N エピタキシャル層が形成されます。アノードはモリブデンやアルミニウムなどの材料を使用してバリア層を形成します。二酸化ケイ素 (SiO2) は、エッジ領域の電界を除去し、チューブの耐電圧値を向上させるために使用されます。N 型基板はオン状態抵抗が非常に小さく、そのドーピング濃度は H 層のドーピング濃度より 100% 高くなります。N+ カソード層は、カソードの接触抵抗を低減するために基板の下に形成されます。構造パラメータを調整することにより、図に示すように、N 型基板とアノード金属の間にショットキー障壁が形成されます。ショットキーバリアの両端に順バイアスが印加されると(アノード金属が電源の正極に接続され、N型基板が電源の負極に接続されます)、ショットキーバリア層は狭くなり内部抵抗が小さくなります。ショットキー障壁の両端に逆バイアスが印加されると、ショットキー障壁層の幅が広がり、その内部抵抗が大きくなります。


特徴

1. カソード共通構造
2. 低電力損失、高効率
3. 高い動作ジャンクション温度
4.過電圧保護用のガードリング、高信頼性
5.RoHS対応品

アプリケーション

1. 高周波スイッチ 電源

2. フリーホイールダイオード、極性保護用途

主な特徴

IF(AV)

10(2×5)A

VF(最大)

0.7V (@Tj=125℃)

ティ

175℃

VRRM

100V

製品メッセージ

モデル

マーキング

パッケージ

MBR10100

MBR10100

TO-220C

MBRF10100

MBRF10100

TO-220F

MBR10100S

MBR10100S

TO-263

MBR10100R

MBR10100R

TO-252

MBR10100V

MBR10100V

TO-251

MBR10100C

MBR10100C

TO-220

絶対定格(Tc=25℃)

パラメータ

シンボル

価値

ユニット

繰り返しピーク逆電圧

VRRM

100

V

最大DC阻止電圧

VDC

100

V

平均順電流

TC=150℃(TO-220/263/252)TC=125℃(TO-220F)

デバイスごと

ダイオードあたり

IF(AV)

10 5

サージ非繰り返し順電流 8.3 ms 単一半正弦波 (JEDEC 方式)

IFSM

120

最大ジャンクション温度

ティ

175

保存温度範囲

TSTG

-40~+150


高周波スイッチ電源のための抵抗のショットキー高い現在のダイオード
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高周波スイッチ電源のための抵抗のショットキー高い現在のダイオード

Guangdong Uchi Electronics Co.,Ltd

Verified Supplier
12 年数
guangdong, dongguan
ありがとうございました 2006
事業形態 :
Manufacturer, Exporter
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1,500,000-2,500,000
従業員数 :
138~168
認証レベル :
Verified Supplier
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