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Sasib 3000のナノのケイ素のトランジスターD2PAK電気タバコ機械部品
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仕様
型式番号 :
メーカー
原産地 :
中国
MOQ :
2 PC
支払の言葉 :
T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram、PayPal
供給の能力 :
10000 PC/月
受渡し時間 :
5-8日
包装の細部 :
カートン
他のモデル :
Skoda、CME、Sasib
適用 :
接着剤を加えること
タバコのサイズ :
極度の王のサイズは/ナノ細くします
サンプル :
満たされた場合だけだけ
硬度 :
非常に高められる
海の交通機関 :
大口注文だけを使って
記述

Sasib 3000のナノのケイ素のトランジスターD2PAK電気タバコ機械部品

トランジスターは電気信号および電力を増幅するか、または転換するのに使用される半導体デバイスである。トランジスターは現代電子工学の基礎部品構造の1つである。それは外的な回路への関係のための少なくとも3台のターミナルが付いている半導体材料で通常構成される。

1. 重要性

トランジスターは事実上すべての現代電子工学の主動的機器である。多数はこうしてトランジスターが20世紀の最も大きい発明の1つであると考慮する。

鐘の実験室の最初のトランジスターの発明は2009年にIEEEのマイル標石と示された。IEEEのマイル標石のリストはまた1948年に接合トランジスタおよび1959年にMOSFETの発明を含める。

1. CMOS

CMOS （補足MOS）は1963年にフェアチャイルドの半導体のChih独特の味SahおよびフランクWanlassによって発明された。浮かべゲートMOSFETの最初のレポートはDawon Kahngおよび1967年にサイモンSzeによってなされた。二重ゲートMOSFETは電気工学の実験室の研究者によってToshihiro SekigawaおよびYutaka Hayashi 1984年に最初に示された

1. MOSFET

金属酸化物半導体のfield-effectのトランジスター（MOSFET）、別名MOSのトランジスターはモハメドAtallaおよび1959年にDawon Kahngによって、発明された。MOSFETは使用の広い範囲のために小型化され、大量生産できる最初の偽りなく密集したトランジスターだった。高いスケーラビリティおよび大いに低い電力の消費および高密度によりバイポーラ トランジスタによって、MOSFETは単一ICで高密度集積回路をし、10,000以上のトランジスターの統合を許可する造ることを可能に。

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HK UPPERBOND INDUSTRIAL LIMITED

Verified Supplier
7 年数
hong kong, hong kong
ありがとうございました 2007
事業形態 :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Exporter
主な製品 :
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100~200
認証レベル :
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