Jun 18, 2025
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製品説明: 中国の会社は熱ギャップフィルター4w/MKの比重をRDRAMの記憶モジュールのための3.1 g/cc供給した  TIF5200-40-11USは基づくシリコーン熱的に伝導性のギャップのパッドである。その無筋構造は付加的な承諾を可能にする。このプロダクトに低い硬度が、conformable電気で隔離もっと学ぶ
熱ギャップフィルター4w/MKの比重RDRAMの記憶モジュールのための3.1 G/Cc 

熱ギャップフィルター4w/MKの比重RDRAMの記憶モジュールのための3.1 G/Cc 
TIF5200-40-11US
中国
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Dongguan Ziitek Electronic Materials & Technology Ltd.

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