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トランジスターを使用して元の高圧Mosfet力トランジスターMosfetの運転者
トランジスターを使用して元の高圧Mosfet力トランジスターMosfetの運転者
仕様
型式番号 :
1503C1
原産地 :
シンセン中国
MOQ :
交渉
支払の言葉 :
L/C T/T ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :
1日あたりの18,000,000PCS/
受渡し時間 :
1 - 2週
包装の細部 :
囲まれる
製品名 :
高圧Mosfetのトランジスター
R DS （） = 7.1mΩ （タイプ。） :
@V GS = 10V
RのDSの（） = 10.0のmΩ （タイプ。） :
@V GS = 4.5V
特徴 :
険しい
タイプ :
原物
記述

元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者

 

高圧Mosfetのトランジスター働きおよび特徴

 

力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、ある。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれる。V-はN+、PおよびN –層にN+の基質に装置表面から突き通るために力MOSFETの形ほとんどある切られる。N+の層は低い抵抗材料との重く添加された層であり、N-の層は抗力が高い地域の軽く添加された層である。

 

高圧Mosfetのトランジスター特徴の記述

 

30V/34A
R DS （） = 7.1mΩ （タイプ。） @V GS = 10V
@V RのDSの（） = 10.0のmΩ （タイプ。）のGS = 4.5V
100%のなだれはテストした
信頼でき、険しい
自由なハロゲンおよび利用できる緑装置
（迎合的なRoHS）

 

高圧Mosfetのトランジスター塗布

 

転換の適用
DC/DCのための力管理
電池の保護

 

命令し、示す情報

 

C1
1503
YYXXXJWW

 

パッケージ コード


C1:DFN3*3-8L

   

         

日付コード


YYXXX WW

 

注:HUAYIの無鉛プロダクトは付加材料および100%の無光沢のブリキ板Termi-死ぬために形成の混合物/含んでいる
国家の終わり;RoHSに完全に準拠しているかどれが。HUAYIの無鉛プロダクトは無鉛に超過するために会うか、または要求する
無鉛ピーク退潮の温度のMSLの分類のためのIPC/JEDEC J-STD-020のments。HUAYIは定義する
「緑」無鉛（迎合的なRoHS）および自由のハロゲンを意味するため（BrかCLは重量900ppmを超過しない
BrおよびCLの同質な材料そして合計は重量1500ppmを超過しない）。
HUAYIはこのpr-への変更、訂正、強化、修正および改善をする権利を確保する
この文書へのoductおよび/またはいつでも予告なしに。

 

絶対最高評価

トランジスターを使用して元の高圧Mosfet力トランジスターMosfetの運転者

 

典型的なオペレーティング特性

 

トランジスターを使用して元の高圧Mosfet力トランジスターMosfetの運転者

 

 

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製品詳細
型式番号 :
1503C1
原産地 :
シンセン中国
MOQ :
交渉
支払の言葉 :
L/C T/T ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :
1日あたりの18,000,000PCS/
受渡し時間 :
1 - 2週
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Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

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5 年数
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事業形態 :
製造業者
主な製品 :
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