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PD57030-E RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスター黒
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仕様
型式番号 :
PD57030-E
MOQ :
1000
支払の言葉 :
T/T
供給の能力 :
1日あたりの5k-10k
受渡し時間 :
5-8の仕事日
包装の細部 :
パッケージ:SMD
タイプ :
集積回路
パッケージ :
SMD
質の保証 :
30-90days
D/C :
新しい
色 :
黒い
記述
製品名:PD57030-E PD57030-E RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスター黒
製造業者:STMicroelectronics 製品カテゴリ:RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスター
トランジスター極性:N-Channel 技術:Si
ID連続的な下水管の流れ:4 A Vds下水管源の絶縁破壊電圧:65ボルト
動作周波数:1つのGHz 利益:14 dB
出力電力:30W 最低の実用温度:- 65 C
最高使用可能温度:+ 150 C 設置様式:SMD/SMT
パッケージ/場合:PowerSO 10RF形作られる4 パッケージ:管
ブランド:STMicroelectronics チャネル モード:強化
構成:単一 高さ:3.5 mm
長さ:7.5 mm 湿気感受性:はい
Pd力の消滅:52.8 W 製品タイプ:RF MOSFETのトランジスター
シリーズ:PD57030-E 工場パッキングの量:400
下位範疇:MOSFETs タイプ:RF力MOSFET
Vgs -ゲート源の電圧:20ボルト 単位重量:3 g

 

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PD57030-E RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスター黒

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製品詳細
型式番号 :
PD57030-E
MOQ :
1000
支払の言葉 :
T/T
供給の能力 :
1日あたりの5k-10k
受渡し時間 :
5-8の仕事日
包装の細部 :
パッケージ:SMD
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Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Verified Supplier
5 年数
shenzhen
事業形態 :
製造業者
主な製品 :
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