大きい流れのための1273AS-H-1R5N=P3/1248AS-H-1R5N=P3力誘導器
記述:
•最高8.3× 8.3mm。正方形、3.0、4.0、および最高4.5mm。高さ。
•磁気的に保護された構造および低いDCの抵抗。
•大きい流れのために適した。
•迎合的なRoHS。
•自由なハロゲン
部分 数 | インダクタンス (μH) | 許容 (%) | DC 抵抗 (mΩ)最高。(タイプ。) | インダクタンス 減少流れ(3) (a)最高。(タイプ。) =30% | 温度 上昇の流れ(3) ΔT=40°C (a)最高。(タイプ。) |
1273AS-H-1R5N=P3 | 1.5 | ±30 | 10.0 (8.3) | 7.5(10) | 7.3 (8.6) |
1273AS-H-2R2N=P3 | 2.2 | ±30 | 13.2 (11) | 6.2 (8.2) | 6.5 (7.7) |
1273AS-H-3R3N=P3 | 3.3 | ±30 | 19.2 (16) | 5.2 (6.9) | 5.4 (6.3) |
1273AS-H-4R7N=P3 | 4.7 | ±30 | 22.8 (19) | 4.4 (5.9) | 4.9 (5.8) |
1273AS-H-6R8N=P3 | 6.8 | ±30 | 37.2 (31) | 3.4 (4.5) | 3.7 (4.4) |
1273AS-H-100M=P3 | 10 | ±20 | 54.0 (45) | 2.9 (3.8) | 3.1 (3.6) |
1273AS-H-150M=P3 | 15 | ±20 | 78.0 (65) | 2.4 (3.2) | 2.6 (3.1) |
1273AS-H-220M=P3 | 22 | ±20 | 126.0 (105) | 2.0 (2.7) | 2.0 (2.4) |
1273AS-H-330M=P3 | 33 | ±20 | 174.0 (145) | 1.6 (2.1) | 1.9 (2.2) |
1273AS-H-470M=P3 | 47 | ±20 | 289.0 (241) | 1.3 (1.7) | 1.3 (1.5) |
1248AS-H-1R5N=P3 | 1.5 | ±30 | 10.1 (8.4) | 10.0 (14.0) | 8.0 (9.4) |
1248AS-H-2R2N=P3 | 2.2 | ±30 | 13.2 (11) | 8.6 (12.0) | 7.0 (8.3) |
1248AS-H-3R3N=P3 | 3.3 | ±30 | 19.2 (16) | 7.2 (9.4) | 5.6 (6.6) |
1248AS-H-4R7N=P3 | 4.7 | ±30 | 22.8 (19) | 6.2 (8.4) | 5.3 (6.2) |
1248AS-H-6R8N=P3 | 6.8 | ±30 | 36.0 (30) | 4.8 (6.6) | 4.2 (4.9) |
1248AS-H-100M=P3 | 10 | ±20 | 52.8 (44) | 4.1 (5.4) | 3.4 (4.0) |
1248AS-H-150M=P3 | 15 | ±20 | 78.0 (65) | 3.4 (4.6) | 2.7 (3.2) |
1248AS-H-220M=P3 | 22 | ±20 | 126.0 (105) | 2.8 (3.7) | 2.2 (2.6) |
1248AS-H-330M=P3 | 33 | ±20 | 168.0 (140) | 2.4 (3.1) | 1.8 (2.2) |
(1)インダクタンスはLCRのメートル4284A (Agilentによって測定される
技術)か等量。
100kHzのテスト頻度
(2) DCの抵抗は34420A (アジレント・テクノロジー)とまたは測定される
3541 (HIOKI)。(基準周囲温度25°C)
(3)現在の最大許容DCは30%を引き起こすdcである
初期値からのインダクタンス減少、かコイルの温度への
より小さいものはどれでも、40°Cによる上昇。(包囲された参照しなさい
温度20°C)