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高純度HPSI半絶縁型シシシ粉末/99.9999% 純度クリスタル成長
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仕様
産地 :
中国
支払条件 :
T/T
純度 :
≥99.9999% (6N)
バンドギャップ幅 :
~3.26 eV
記述

製品紹介

 

HPSI SiC粉末 (High Purity Semi-Isolating Silicon Carbide) は,電源電子機器,光電子機器,高温装置などに広く使用されている高性能材料です.高周波アプリケーションHPSI SiC粉末は 卓越した純度,半絶縁性能,熱安定性で 知られています 次の世代の半導体装置のための重要な材料です

 

作業原理

 

PVT シリコンカービッド (SiC) 単結結炉における結晶成長プロセス:

  • 高純度シリコンカービード (SiC) 粉末を炉内のグラフィット・ティグビルの底に置き,シリコンカービッドの種晶をティグビルの蓋の内面に結合する.
  • 電子磁気誘導加熱または抵抗加熱を用いて,チューイブルを2000°Cを超える温度に熱し,チューイブル内部の軸温度グラデントを確立する.種子結晶の温度を粉末源の温度より少し低く保つ.
  • SiC粉末は,シリコン原子,SiC2分子,SiC2C分子を含むガス成分に分解します.この蒸気相物質は高温帯 (粉末) から低温帯 (種子結晶) に運ばれます種子結晶の炭素面上では,これらの成分は,種子結晶の結晶向きに従って,秩序ある原子構造に並びます.このプロセスを通して,水晶は徐々に厚くなり,最終的にシリコンカービッドのブロックに成長します.

高純度HPSI半絶縁型シシシ粉末/99.9999% 純度クリスタル成長

仕様

 

パラメータ 値範囲
純度 ≥99.9999% (6N)
粒子の大きさ 0.5 μm~10 μm
耐性 105〜107 Ω·cm
熱伝導性 ~490 W/m·K
バンドギャップ幅 ~3.26 eV
モース硬さ 9.5

 

申請

SiC シングルクリスタル成長

 

  • HPSI SiC粉末は,主に物理蒸気輸送 (PVT) またはサブライメーション方法によって高純度シリコンカービッド単結晶の生産のための原材料として使用されます.わかった

わかった

 

物理 的 構造

 

HPSI SiC粉末は,典型的には六角形 (4H-SiC) または立方形で,高度に結晶構造を有する. (3C-SiC) ポリタイプ,生産方法によって.その高い純度が,金属の不純性を最小限に抑え,アルミニウムや窒素などの補給物質を含有を制御することによって達成されます.電気特性や隔熱特性に影響を与える細かい粒子の大きさは,様々な製造プロセスとの均一性と互換性を保証します.

 

Q&A

Q1:HPSIシリコンカルバイド (SiC) 粉末は何のために使用されますか?
SiCミクロン粉末の用途は,砂吹き注入機,自動車用水ポンプシール,ベアリング,ポンプ部品,高硬度,磨損耐性,シリコンカービッドの耐腐蝕性.

Q2:HPSIシリコンカービッド (SiC) 粉末とは?

HPSI (High Purity Sintered) シリコンカービッド粉は,高度なシンタリングプロセスによって製造された高純度,高密度SiC材料である.

Q3: HPSI SiC 粉は特定のアプリケーションにカスタマイズできますか?

はい,HPSI SiC粉末は,特定の産業や研究ニーズを満たすために,粒子の大きさ,純度レベル,およびドーピング濃度によって調整することができます.

Q4: HPSI SiC粉は,半導体ウエファの質にどのように直接影響するのか?

その純度や粒子の大きさ そして結晶相が直接決定します

 

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バンドギャップ幅 :
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