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4H Nタイプ Semiタイプ SiC ウェーファー 4インチ DSP 生産研究 ダミーグレード カスタマイズ
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仕様
配達時間 :
2-4weeks
支払条件 :
T/T
弓/ゆがみ :
≤40um
グレード :
生産の研究のダミー
EPD :
≤1E10/cm2
耐性 :
ハイ・ロー抵抗
不純物 :
自由で/低い不純物
表面の荒さ :
≤1.2nm
TTV :
≤15um
タイプ :
4H-N/4H-SEMI
記述

4H Nタイプ Semiタイプ SiC ウェーファー 4インチ DSP 生産研究 ダミーグレード カスタマイズ

製品説明:

 

シリコンカービッドウエファーは主にシュトキーダイオード,金属オキシド半導体フィールド効果トランジスタ,ジャンクションフィールド効果トランジスタ,双極結合トランジスタ,ティリスターシリコン・カービッド・ウェーバーは 高い/低い抵抗性を備えており 必要な性能を保証します応募の条件に関係なく高電力電子機器や低電力センサーを使おうと 私たちのウエーファーが対応します卓越した性能と信頼性を 提供するシリコン・カービッド・ウェーファーを探しているなら品質や性能に 失望しないことを保証します

 

グレード ゼロ MPDグレード 生産級 ダミーグレード
直径 100.0 mm +/- 0.5 mm
厚さ 4H-N 350mm +/- 20mm 350mm +/- 25mm
4H-SI 500ミリ +/- 20ミリ 500ミリ +/- 25ミリ
ウェファーの方向性 軸上: <0001> 4H-SI の場合は +/- 0.5°
軸外: 4H-N に対して <11-20> +/-0.5 deg 方向に4.0°
電気抵抗性 4H-N 0.015~0025 0.015~0028
(オム-cm) 4H-SI >1E9 >1E5
主要的な平面方向性 {10-10} +/- 5.0°C
主要平面長さ 32.5 mm +/- 2.0 mm
二次平面長さ 18.0 mm +/- 2.0 mm
二次的な平面方向性 シリコンの向き: 90°CWからプライマリフラット +/- 5.0°
エッジ除外 3mm
LTV/TTV/Bow/Warp 3um /5um /15um /30um 10um /15um /25um /40um
表面の荒さ ポーランドのRa < C面の1nm
CMP Ra < 0.2 nm Ra < 0.5 nm
高強度の光で検査された裂け目 ない ない 1 は許容され,2 mm
高強度の光で検査されたヘックスプレート 累積面積 ≤0.05% 累積面積 ≤0.1%
高強度の光で検査される多型エリア ない ない 累積面積≤3%
高強度の光で検査された傷痕 ない ない 合計長さ≤1xウエフ直径
縁の切断 ない ない 容量5個,それぞれ ≤1mm
高強度の光で検査された表面汚染 ない
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キャラクター:

 

1強い高温安定性:シリコンカービッドのウエファーは,非常に高い熱伝導性と化学的惰性を示します.熱膨張や変形を容易に見舞わさず,高温環境で安定性を維持できるようにする.
2高い機械的強度:シリコンカービッドのウエファーは高硬度と硬さがあり,高圧や重荷に耐えることができます.
3優れた電気特性: シリコンカービッドのウエファーは,電導性が高く,電子移動性が高く,シリコン材料と比較して優れた電気特性を持っています.
4優れた光学性能:シリコンカービッドのウエファーは透明性があり,強い放射線耐性があります.

 

シリコンカルビッド単結生長

SiC単結の成長における課題:SiCは220以上の結晶構造で存在し,最も一般的なものは3C (立方体),2H,4H,および6H (六角形),および15R (ロムボヘドル) である.SiCには溶融点がない.,チョクラルスキープロセスなどの方法による成長には不適している. 1800°C以上では,ガス状のSi,Si2C,SiC,固体C (主要成分) に分解して,上昇する.シリコン-炭素二層スパイラルを含む成長メカニズムは,成長過程中に結晶欠陥の形成につながります.

1物理蒸気輸送 (PVT) 方法:

PVTでSiCを培養する際に,SiC粉末は炉底に置き加熱する.温度が2000~2500°Cに達すると,粉末は高温分解でガスに分解される.低温で高温で高温で低温で高温で低温で高温で高温で高温で高温で高温で蒸気が凝縮し,種子結晶の方向に成長し,最終的にSiC結晶を形成する.

利点:PVT機器は,構造と操作が簡単であるため,現在SiC結晶の栽培の主流方法である.デメリット:しかし,この方法には以下のような制限もあります.SiCの結晶の成長で直径の膨張を達成することは比較的困難です6~8インチに拡大したい場合は かなり長い期間が必要になりますSiC結晶のドーピングの利点は,この方法を使用するとあまり顕著ではありません..

2: 高温溶液方法:

この方法では,溶媒を使って炭素元素を溶解する.溶媒が溶液を溶解する能力は,異なる温度で異なる.この方法を使用してSiC結晶を栽培する際に,溶媒が溶液を溶解する能力は異なる.使用した溶媒は金属物質クロム (Cr)金属は室温では固体ですが 高温では液体になり溶液になります.SiCとCrはグラフィットチュービルの中に置かれ,Cr がシャトルとして作用する炉底から上へと炭素を運び,冷却して結晶化する.

利点:高温溶液方法によるSiCの栽培の利点には,SiC装置の性能を制限する重要な問題である低離位密度が含まれます.直径拡大の達成の容易さp型結晶が得られる.恵まれない人しかし,この方法には,高温での溶媒の升華,結晶の成長中に不純度濃度の制御,溶媒の封筒化,浮遊結晶形成.

3: 高温化学蒸気堆積法 (HTCVD)

この方法は,SiCの原材料が変化するという点で,前2つの方法と大きく異なります. SiC粉末は,以前の方法ではSiC結晶の栽培のための原材料として使用されています.HTCVDは,CとSi元素を含む有機ガスをSiC原材料として使用する.HTCVDでは,ガスがパイプラインを通って炉に入れて反応してSiC結晶を形成する.現在,SiC結晶の成長のためのHTCVDはまだ研究開発段階にある.このプロセスの複雑さと高コストにより現在,SiC結晶の栽培には主流の技術ではありません.

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応用:

1電気自動車用のインバーター,DC-DCコンバーター,およびオンボードチャージャー:これらのアプリケーションには多数の電源モジュールが必要です.シリコンカービッド装置は,走行距離を大幅に増加させ,電気自動車の充電時間を短縮します.
2再生可能エネルギー用途のためのシリコンカービッド電源装置: 太陽光および風力エネルギー用途のためのインバーターで使用されるシリコンカービッド電源装置は,エネルギー利用を向上させます.炭素ピークと炭素中立性を高めるためのより効率的なソリューションを提供.
3高速鉄道,地下鉄システム,電力網などの高電圧アプリケーション:これらの分野におけるシステムは高電圧耐性,安全性,および運用効率を必要とします.シリコンカービッドのエピタキシをベースにした電源装置は,上記のアプリケーションのための最適な選択です.
45G通信のための高電力RFデバイス: 5G通信部門のためのこれらのデバイスは,高熱伝導性と保温特性を持つ基板を必要とします.これは優れたGaN上位軸性構造の実現を容易にする.

 

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FAQ:

4H-SiCとSiCの違いは何ですか?
A: 4H-シリコン・カービッド (4H-SiC) は,広い帯域隙間,優れた熱安定性,優れた電気的および機械的特性により,SiCの優れたポリタイプとして顕著です.

Q: SiC はいつ使うべきですか?
A: もし自分の作品で誰かや何かを引用したいと 思うと 文法や綴りの誤りがあることに気づいたら誤りを表すには sic を使います..

Q:なぜ4H SiCなのか?
A: 4H-SiCは,ほとんどの電子アプリケーションで6H-SiCよりも好ましい,それは6H-SiCよりも高いおよびより同性電子移動性を持っているため

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