仕様
型式番号 :
10x10x0.5mmt
原産地 :
中国
MOQ :
5pcs
支払の言葉 :
T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :
1-50pcs/month
受渡し時間 :
2-3weeks
包装の細部 :
100等級のクリーン ルームの単一のウエファーのパッケージ
材料 :
SiCの単結晶の4H-Nタイプ
等級 :
模造の/Production/研究の等級
Thicnkss :
0.5mm
Suraface :
磨かれる
適用 :
テストの忍耐
直径 :
10x10x0.5mmt
色 :
茶緑
記述

 
Customzied size/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SICのインゴット/高い純度4H-N 4inch 6inch dia 150mmの炭化ケイ素の単結晶(sic)の基質wafersS/CustomziedようカットのsicのウエファーSiCの窓/レンズ/ガラス

炭化ケイ素(SiC)の水晶について

 

炭化ケイ素(SiC)、別名カーボランダムは、化学式SiCのケイ素そしてカーボンを含んでいる半導体である。SiCは高温か高い電圧で作動する、またはboth.SiCはまた重要なLEDの部品の1つである半導体の電子工学装置で使用される、それはGaN装置を育てるための普及した基質であり、また強力なLEDsの熱拡散機として役立つ。

1. 記述
特性 4H SiCの単結晶 6H SiCの単結晶
格子変数 a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
順序の積み重ね ABCB ABCACB
Mohsの硬度 ≈9.2 ≈9.2
密度 3.21 g/cm3 3.21 g/cm3
Therm。拡張係数 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
屈折の索引@750nm

= 2.61無し
ne = 2.66

= 2.60無し
ne = 2.65

比誘電率 c~9.66 c~9.66
熱伝導性の(Nタイプ、0.02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K

 
熱伝導性(Semi-insulating)

a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K

バンド ギャップ 3.23 eV 3.02 eV
故障の電場 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
飽和漂流速度 2.0×105m/s 2.0×105m/s

 

10 x 10 x 0.5mmの炭化ケイ素のウエファー4H - N SiCの水晶破片

高い純度4inchの直径の炭化ケイ素(SiC)の基質の指定
10 x 10 x 0.5mmの炭化ケイ素のウエファー4H - N SiCの水晶破片

 
カタログ  共通のサイズ
                            
 

 

4H-Nタイプ/高い純度SiCのウエファー/インゴット
2インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット
3インチ4H NタイプSiCのウエファー
4インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット
6インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット

 
4HのSemi-insulating/高い純度SiCのウエファー

2インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー
3インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー
4インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー
6インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー
 
 
6H NタイプSiCのウエファー
2インチ6H NタイプSiCのウエファー/インゴット
 
 2-6inchのためのCustomziedのサイズ
 
 

ZMKJ Companyについて
 
ZMKJは電子および光電子工学の企業に提供する良質の単結晶SiCのウエファー(炭化ケイ素)をできる。SiCのウエファーは独特な電気特性が付いている次世代の半導体材料、でありシリコンの薄片およびGaAsのウエファーと比較される優秀な熱特性はSiCのウエファー高温および高い発電装置塗布のためにより適している。SiCのウエファーは直径2-6のインチでNタイプ、窒素およびsemi-insulatingタイプ、添加される利用できる4Hおよび6H両方SiC供給する、ことができる。より多くの製品に関する情報のための私達に連絡しなさい。

 
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10 x 10 x 0.5mmの炭化ケイ素のウエファー4H - N SiCの水晶破片

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