仕様
モデル番号 :
GaNガリウムナイトリド・ウェーファー
産地 :
中国
支払条件 :
T/T
配達時間 :
2〜4週間
サイズ :
"cm直径または 25.4 +/- 0.5 mm
厚さ :
350+/- 50ミリ
主要フラット :
12 +/- 1 mm
2階建て: :
8 +/- 1 mm
オリエンテーション :
(0001) C平面
総厚さの変化 :
≤ 40um
弓 :
0 +/- 10 um
抵抗 :
~10-3オムセンチメートル
キャリア集中 :
~ 1019cm-3
キャリア・モビリティ :
~ 150cm2/V*s
エッチ・ピット密度 :
< 5 x 104cm-2
磨き :
前面:RMS < 0.5 nm,Epi準備,裏面は地面.
記述

GaNガリウムナトリド・ウェーファー 高電子移動性 RFデバイス 光電子とLED

GaNガリウムナイトリド・ウェーファーの抽象

ガリウムナイトライド (GaN) ワッフルは,独自の材料特性により,様々な産業で重要な技術として登場しました.特殊な熱安定性この抽象書は,GaNウエファの汎用的なアプリケーションを探求します.5G通信の電源からLEDの照明や太陽光発電の進歩まで高性能なGaNは,コンパクトで効率的な電子機器の開発における礎石となり,自動車電子機器,航空宇宙,そして再生可能エネルギーテクノロジーの革新の推進力として,GaNウエフは様々な産業における可能性を再定義し,現代の電子機器と通信システムの景観を形作っています.

ガナガリウムナトリドウエファーの展示

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GaNガリウムナイトリド・ウェーファーの適用

GaNガリウムナトリド・ウェーファー 高電子移動性 RFデバイス 光電子とLED

ガリウムナイトライド (GaN) ワッフルは,さまざまな産業で幅広い用途があります.電子機器や光電子機器の性能向上のために,独自の材料特性を活用するGaNウエフルの主な用途は以下の通りです.

  1. パワーエレクトロニクス

    • GaNウエファは,トランジスタや二極管などの電源電子装置に広く使用されています.高電子移動性と広い帯域が,電源増幅器,電源増幅器などのアプリケーションに適しています.変換機電気通信から再生可能エネルギーシステムまで
  2. RF (ラジオ周波数) 装置:

    • GaNウエファは,増幅器やスイッチを含む高周波RFデバイスの開発に使用されている.GaNの高い電子移動性は,効率的なRF信号処理を可能にします.レーダーシステムなどのアプリケーションで価値のあるものになります衛星通信も可能です
  3. 光電子機器とLED:

    • GaNベースのLED (Light-Emitting Diodes) は,照明アプリケーション,ディスプレイ,インジケーターで広く使用されています.青と紫外線スペクトルで光を発するGaNの能力は,LEDの白光生成に寄与するエネルギー効率の良い照明ソリューションにとって不可欠です
  4. 紫外線 (紫外線) 光電子機器:

    • 紫外線に対するGaNの透明性は,UV光電子アプリケーションに適している.GaNウエファーは,UVセンサー,滅菌装置,紫外線に敏感性が不可欠な他の装置.
  5. 高電子移動性トランジスタ (HEMT):

    • 高周波および高電力アプリケーションで使用される高性能トランジスタであるHEMTの開発のための重要な材料としてGaNウェーバーが機能します.衛星通信に利用されている.レーダーシステムや無線インフラストラクチャ
  6. 無線通信 (5G):

    • 高周波能力を持つGaNは,5G通信システムにおけるRFコンポーネントの開発に好ましい材料となっています.GaNベースのアンプとトランスミッターは,5Gネットワークに必要な高データ速率と低レイテンシーを実現するために重要な役割を果たします.
  7. 電源とコンバーター:

    • GaNウエファは,高効率でコンパクトな設計が不可欠な電源と変換機の製造に使用されます.GaNベースの電源装置は,電力の損失を削減し,電子システムの全体的な効率を向上させるのに貢献します.
  8. 自動車電子機器:

    • GaN技術は,特に電気自動車 (EV) やハイブリッド電気自動車 (HEV) で,自動車電子機器の利用が増加しています.GaN ベースの電源電子機器は電動駆動装置の効率を向上させる持続可能な輸送の発展に貢献する.
  9. 太陽光発電インバーター:

    • ソーラーエネルギーシステム用の電源インバーターの開発に使用されている.高効率で電力を処理できるGaN装置は,太陽光発電を有効な電気に変換する最適化に貢献する..
  10. 先進レーダーシステム

    • 高周波で動作し,高電力レベルに耐えるGaNの能力は,高度なレーダーシステムにとって理想的です. GaNベースのデバイスは,防衛におけるレーダーアプリケーションのパフォーマンスを向上させます.航空宇宙天気モニタリング

高電子移動性,広い帯域間隔,高電子移動性,高電子移動性,高電子移動性高度な電子機器や光電子機器の開発の鍵となる要素として位置づけています.

GaNガリウムナイトリド・ウェーファーのデータグラフ

モデルNO
50.8mm
製造技術
HVPEとMOCVD
材料
化合物半導体
タイプ
N型半導体
適用する
LED
モデル
N型 半断熱
ブランド
WMC
直径
50.8, 100 150 mm
結晶の方向性
C平面 (0001)
耐性
<0.05 <0.1 <0.5 オーム.cm
厚さ
350um
TTV
10um 最大
身をかがめる
25um 最大
EPD
5E8cm-2 最大
表面の荒さ
前側: <=0.2nm,後ろ: 0.5-1.5umまたは <=0.2nm
キャリア濃度
5E17cm-3 最大
ホールの移動性
300cm2/V.s
商標
WMC
輸送パッケージ
シングル・ウェーファー容器
仕様
2" 4" 6"
原産地
チェンドゥ 中国
HSコード
3818001900

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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