仕様
モデル番号 :
IXFN38N100Q2
産地 :
アメリカ合衆国
最低注文量 :
1pcs
支払条件 :
T/T,ウェスタン・ユニオン
供給能力 :
1500pcs
配達時間 :
1日
パッケージの詳細 :
トゥーブ
記述 :
IXFN38N100Q2 離散半導体モジュール 38 Amps 1000V 0.25 Rds
ストック :
100PCS
日付コード :
最新のコード
輸送する :
DHL/UPS/Fedex
条件 :
新しい*オリジナル
保証 :
365日
鉛のない :
ローズ・コンパイル
リードタイム :
すぐに出荷する
記述

IXFN38N100Q2 離散半導体モジュール 38 Amps 1000V 0.25 Rds

IXFN38N100Q2 離散半導体モジュール 38 Amps 1000V 0.25 Rds

IXYS
製品カテゴリー: 離散半導体モジュール
RoHS について 詳細
パワー MOSFET モジュール
そうだ
- 30V, +30V
シャーシマウント
SOT-227-4
- 55°C
+150C
IXFN38N100
トューブ
ブランド: IXYS
構成: シングル
秋の時間 15 ns
高さ: 9.6mm
Id - 連続流出電流: 38A
長さ: 38.23mm
チャンネル数: 1 チャンネル
Pd - エネルギー分散: 890W
製品タイプ: 離散半導体モジュール
Rds ON - 排水源抵抗: 250mOhms
昇る時間: 28 ns
サブカテゴリ: 離散半導体モジュール
商標名: ハイパーフェット
トランジスタの偏性: Nチャンネル
典型的な切断遅延時間: 57 ns
典型的オンアップ遅延時間: 25 ns
Vds - 排水源の断熱電圧: 1kV
幅: 25.42mm
単位重量: 1.058219オンス

 

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1500pcs
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Wisdtech Technology Co.,Limited

Active Member
2 年数
guangdong, shenzhen
主な製品 :
, ,
従業員数 :
>100
認証レベル :
Active Member
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