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FQA11N90C MOSFET 900V N-Ch Q-FET アドバンスト Cシリーズ
FQA11N90C MOSFET 900V N-Ch Q-FET アドバンスト Cシリーズ
仕様
モデル番号 :
FQA11N90C
産地 :
中国
トランジスタの種類: :
1 N チャネル
Vgs - ゲート-ソース間電圧: :
- 30ボルト、+ 30ボルト
記述
製品属性 属性値
製造者: 一半
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS について 詳細
テクノロジー そうだ
マウントスタイル: 穴を抜ける
パッケージ/ケース: TO-3PN-3
トランジスタの偏性: Nチャンネル
チャンネル数: 1 チャンネル
Vds - 排水源の断熱電圧: 900V
Id - 連続流出電流: 11A
Rds ON - 排水源抵抗: 1.4オーム
Vgs - ゲート・ソースの電圧: - 30V, +30V
最低動作温度: - 55°C
最大動作温度: +150C
Pd - エネルギー分散: 300W
チャンネルモード: 強化
パッケージ: トューブ
ブランド: セミ / フェアチャイルド
構成: シングル
秋の時間 85 ns
前向トランスコンダクタンス - Min: 9 S
高さ: 20.1 mm
長さ: 16.2mm
製品タイプ: MOSFET
昇る時間: 130 ns
工場用 梱包量: 30
サブカテゴリ: MOSFET
トランジスタタイプ: 1 Nチャネル
タイプ: MOSFET
典型的な切断遅延時間: 130 ns
典型的オンアップ遅延時間: 60 ns
幅: 5mm
部分# 偽名 FQA11N90C_NL
単位重量: 0.162260オンス
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FQA11N90C MOSFET 900V N-Ch Q-FET アドバンスト Cシリーズ

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製品詳細
モデル番号 :
FQA11N90C
産地 :
中国
トランジスタの種類: :
1 N チャネル
Vgs - ゲート-ソース間電圧: :
- 30ボルト、+ 30ボルト
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FQA11N90C MOSFET 900V N-Ch Q-FET アドバンスト Cシリーズ

Wisdtech Technology Co.,Limited

Active Member
2 年数
guangdong, shenzhen
主な製品 :
, ,
従業員数 :
>100
認証レベル :
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