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MEMS と SAW 装置のための最先端のピエゾエレクトリック・ウェーファー製造 結果のための高度な処理能力
MEMS と SAW 装置のための最先端のピエゾエレクトリック・ウェーファー製造 結果のための高度な処理能力
仕様
モデル番号 :
チップ鋳造サービス
産地 :
中国
最低注文量 :
1 PCS
支払条件 :
T/T
供給能力 :
10000個/月
配達時間 :
1〜4週間
パッケージの詳細 :
真空密封カセット瓶のパッケージ
製品 :
チップ鋳造サービス
材料 :
リンボ3リタオ3 結晶クォーツ ガラス サファイアなど
サービス :
リトグラフィー,エッチング,コーティング,結合
石版印刷 :
EBL近距離リトグラフィ oステッパーリトグラフィ
補助装置 :
磨き/薄め/磨き/機械など
絆 :
アノード,ユーテキス,アデシブ,ワイヤ結合
記述

最先端のMEMSおよびSAW装置のためのピエゾ電気ウエファー製造 結果のための高度な処理能力

 

   

設計図と仕様を提供することで, 設計図と仕様を提供することで,,ワッフルの幅広い範囲にはリチウムニオバート (LiNbO)₃),リチウムタンタラート (リタオ)₃),シングルクリスタルクォーツ,溶けたシリカガラス,ボロシリケートガラス (BF33),ソーダ・ライム・グラス,シリコン・ウェーファーそしてサファイア幅広い用途に備えるようにしています

 

  

先進的なウェーファー材料のポートフォリオ
専門知識は 業界標準や 異国的な材料をカバーしています

  • リチウムニオバート (LiNbO3, 4"-6"のウーフラー)
  • リチウムタンタラート (LiTaO3,Zカット/Yカット)
  • シングルクリスタルクォーツ (AT切割/SC切割)
  • 溶融シリコン (コーニング7980相当)
  • ボロシリケートガラス (BF33/Schott Borofloat®)
  • シリコン (100/111向き,最大200mm)
  • サファイア (C平面/R平面,2"×8")

核製造技術

  1. リトグラフィー

    • 電子ビームリトグラフィー (EBL,10nm解像度)
    • ステップラーリトグラフィー (i線,365nm)
    • 接近マスクアライナー (5μmのアライナメント精度)

  2. エッチング

    • ICP-RIE (SiO2/Si 切削速度 500nm/min)
    • DRIE (アスペクト比30:1ボッシュプロセス)
    • イオンビームエッチング (角均一性 <±2°)

  3. 薄膜の堆積

    • ALD (Al2O3/HfO2,<1nmの均一性)
    • PECVD (SiNx/SiO2,ストレスを制御する)
    • マグネトロンスプッター (Au/Pt/Ti,5nm1μm)

  4. ウェーファー結合

    • アノード結合 (ガラスからSi,400°C/1kV)
    • エウテキス結合 (Au-Si, 363°C)
    • 接着剤 (BCB/SU-8, <5μm)

プロセスインフラストラクチャのサポート

  • 精密研磨 (TTV <2μm)
  • CMPポーリング (Ra <0.5nm)
  • レーザー切断 (50μmの切断幅)
  • 3D測定法 (白光干渉測定)
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MEMS と SAW 装置のための最先端のピエゾエレクトリック・ウェーファー製造 結果のための高度な処理能力

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最低注文量 :
1 PCS
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10000個/月
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MEMS と SAW 装置のための最先端のピエゾエレクトリック・ウェーファー製造 結果のための高度な処理能力

Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.

Verified Supplier
4 年数
shanghai, hangzhou
ありがとうございました 1999
事業形態 :
Manufacturer, Trading Company
主な製品 :
, ,
年間総額 :
800M-1500M
従業員数 :
10~99
認証レベル :
Verified Supplier
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