R平面のIRおよび紫外線波長の適用のための1102のC平面0001のサファイアのウエファー
成長方法は単結晶のサファイアのインゴットが作り出されるプロセスを示す。ほとんどのサファイアのウエファーのためにこれはKyropoulos方法である(KyかKrに短縮される)。Kyropoulos方法はシリコンの薄片の製造で使用されるCzochralski方法(CZ)の継続である。Kr方法はウエファーに処理することができる単結晶のサファイアの非常に大きいインゴットの生産を可能にする。
サファイアの典型的な切口はR平面(1102)、C平面(0001)、平面(1120)、M平面(1010)およびN平面(1123)である。オリエンテーションはおよび他の材料が付いている格子マッチがいかに統合するかサファイアのウエファーの物理的性質に–特に影響を与え。
サファイアAl2O3の光学的性質 | |
伝送範囲 | 0.17から5.5ミクロン |
R.i. | 1.75449 (o) 1.74663 1.06ミクロンの(e) |
反射損失 | o光線- 11.7%のための1.06ミクロン(2つの表面);e光線- 14.2%のため |
吸収の指示しなさい | 2.4ミクロンの0.3 x 10-3 cm-1 |
dN/dT | 13.7 x 5.4ミクロンの10-6 |
dn/dm = 0 | 1.5ミクロン |
サファイアAl2O3の物理的性質 | |
密度 | 3.97 g/cm3 |
融点 | 2040の摂氏温度 |
熱伝導性 | 27.21と(K) 300 Kのm X |
熱拡張 | 5.6 x 10 -6 /K (平行C軸線)及び5.0 (垂直なC軸線) x 10 -6 /K |
硬度 | Knoop 2000g圧子との2000 kg/mm 2 |
比熱容量 | 419 J/(K) kg X |
比誘電率 | 1MHzの11.5 (平行C軸線) 9.4 (垂直なC軸線) |
ヤングの係数(e) | 335 GPa |
せん断の係数(G) | 148.1 GPa |
バルク係数(k) | 240 GPa |
伸縮性がある係数 | C11=496C12=164C13=115 |
明白な伸縮性がある限界 | 275 MPa (40,000のpsi) |
ポアソン比率 | 0.25 |
オリエンテーション | R平面、C平面、平面、M平面または指定オリエンテーション |
オリエンテーションの許容 | ± 0.3° |
直径 | 2インチ、3インチ、4インチ、6インチ、8インチまたは他 |
直径の許容 | 2インチのための0.1mm、3インチのための0.2mm、4インチのための0.3mm、6インチのための0.5mm |
厚さ | 0.25mm、0.33mm、0.43mm、0.65mm、1mmまたは他; |
厚さの許容 | 25μm |
第一次平らな長さ | 2インチのための16.0±1.0mm、3インチのための22.0±1.0mm、4インチのための30.0±1.5mm、6インチのための47.5/50.0±2.0mm |
第一次平らなオリエンテーション | 平面(1 1-2 0)の± 0.2°;C平面(0の0-0 1) ± 0.2°の写し出されたC軸線45 +/- 2° |
TTV | 2インチのための≤10µm、3インチのための≤15µm、4インチのための≤20µm、6インチのための≤25µm |
弓 | 2インチのための≤10µm、3インチのための≤15µm、4インチのための≤20µm、6インチのための≤25µm |
前部表面 | Epi磨かれた(C平面のためのRa< 0.3nm、他のオリエンテーションのための0.5nm) |
背部表面 | 良い地面(Ra=0.6μm~1.4μm)またはEpi磨かれた |
包装 | クラス100のクリーン ルームの環境で包まれる |
受入検査
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3. プロダクトが適用されるときクリーン ルームの真空パックを開けなさい。
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