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サファイアのWindowsの抵抗力がある圧電気のウエファーの半導体の負傷
サファイアのWindowsの抵抗力がある圧電気のウエファーの半導体の負傷
サファイアのWindowsの抵抗力がある圧電気のウエファーの半導体の負傷
サファイアのWindowsの抵抗力がある圧電気のウエファーの半導体の負傷
仕様
型式番号 :
サファイア（Al2O3）
原産地 :
中国
MOQ :
5ピース
支払の言葉 :
T/T
供給の能力 :
10000部分/月
受渡し時間 :
1-4週
包装の細部 :
カセット、瓶、フィルムのパッケージ
材料 :
サファイアWindows
成長 :
Kyropoulos方法
融点 :
2040年の°C
熱伝導性 :
27.21と（K） 300 Kのm X
熱拡張 :
5.6 x 10 -6 /K （平行C軸線）及び5.0 （垂直なC軸線） x 10 -6 /K
硬度 :
Knoop 2000g圧子との2000 kg/mm 2
比熱容量 :
419 J/（K） kg X
比誘電率 :
1MHzの11.5 （平行C軸線） 9.4 （垂直なC軸線）
記述

半導体のサファイアのウエファーのサファイアのWindowsの圧電気のウエファー

 

サファイアはそれを高温、熱衝撃、水および砂の腐食に対して抵抗力があるようにする、および負傷である物理的な、化学光学的性質の独特な組合せの材料。それは3µmから5µmまで多くのIRの適用のための優秀な窓材料である。C平面のサファイアの基質はR平面のサファイアの基質はマイクロエレクトロニックICの適用のためのケイ素のheteroエピタキシアル沈殿のために使用されるが広く利用されている青いLEDおよび半導体レーザーのためのGaNのようなIII-VおよびII-VIの混合物を育てるために。

 

サファイアのWindowsの抵抗力がある圧電気のウエファーの半導体の負傷サファイアのWindowsの抵抗力がある圧電気のウエファーの半導体の負傷サファイアのWindowsの抵抗力がある圧電気のウエファーの半導体の負傷

 

項目

3インチのC平面（0001） 500μmのサファイアのウエファー

水晶材料

99,999%の高い純度、モノクリスタルAl2O3

等級

主、Epi準備ができた

表面のオリエンテーション

C平面（0001）

M軸線0.2の方のC平面の以外角度+/- 0.1°

直径

76.2 mm +/- 0.1 mm

厚さ

500 μm +/- 25 μm

第一次平らなオリエンテーション

平面（11-20） +/- 0.2°

第一次平らな長さ

22.0 mm +/- 1.0 mm

磨かれる単一の側面

前部表面

のRA Epi磨かれた < 0="">

（SSP）

背部表面

良い地面、RA = 1.2 μmへの0.8のμm

磨かれる二重側面

前部表面

のRA Epi磨かれた < 0="">

（DSP）

背部表面

のRA Epi磨かれた < 0="">

TTV

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弓

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ゆがみ

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/包むクリーニング

きれいになり、真空パックするクラス100のクリーンルーム

包むか、または単一部分の包装1個のカセットの25部分。

 

項目

4インチのC平面（0001） 650μmのサファイアのウエファー

水晶材料

99,999%の高い純度、モノクリスタルAl2O3

等級

主、Epi準備ができた

表面のオリエンテーション

C平面（0001）

M軸線0.2の方のC平面の以外角度+/- 0.1°

直径

100.0 mm +/- 0.1 mm

厚さ

650 μm +/- 25 μm

第一次平らなオリエンテーション

平面（11-20） +/- 0.2°

第一次平らな長さ

30.0 mm +/- 1.0 mm

磨かれる単一の側面

前部表面

のRA Epi磨かれた < 0="">

（SSP）

背部表面

良い地面、RA = 1.2 μmへの0.8のμm

磨かれる二重側面

前部表面

のRA Epi磨かれた < 0="">

（DSP）

背部表面

のRA Epi磨かれた < 0="">

TTV

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弓

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ゆがみ

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/包むクリーニング

きれいになり、真空パックするクラス100のクリーンルーム

包むか、または単一部分の包装1個のカセットの25部分。

 

項目

6インチのC平面（0001） 1300μmのサファイアのウエファー

水晶材料

99,999%の高い純度、モノクリスタルAl2O3

等級

主、Epi準備ができた

表面のオリエンテーション

C平面（0001）

M軸線0.2の方のC平面の以外角度+/- 0.1°

直径

150.0 mm +/- 0.2 mm

厚さ

1300のμm +/- 25 μm

第一次平らなオリエンテーション

平面（11-20） +/- 0.2°

第一次平らな長さ

47.0 mm +/- 1.0 mm

磨かれる単一の側面

前部表面

のRA Epi磨かれた < 0="">

（SSP）

背部表面

良い地面、RA = 1.2 μmへの0.8のμm

磨かれる二重側面

前部表面

のRA Epi磨かれた < 0="">

（DSP）

背部表面

のRA Epi磨かれた < 0="">

TTV

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弓

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ゆがみ

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/包むクリーニング

きれいになり、真空パックするクラス100のクリーンルーム

包むか、または単一部分の包装1個のカセットの25部分。

 

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型式番号 :
サファイア（Al2O3）
原産地 :
中国
MOQ :
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支払の言葉 :
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供給の能力 :
10000部分/月
受渡し時間 :
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Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.

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4 年数
shanghai, hangzhou
ありがとうございました 1999
事業形態 :
Manufacturer, Trading Company
主な製品 :
, ,
年間総額 :
800M-1500M
従業員数 :
10~99
認証レベル :
Verified Supplier
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