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LNOI POIの高速調節および広い帯域幅の圧電気のウエファー
LNOI POIの高速調節および広い帯域幅の圧電気のウエファー
仕様
型式番号 :
LNOIのウエファー
原産地 :
中国
MOQ :
25個
支払の言葉 :
T/T
供給の能力 :
1000 PC/月
受渡し時間 :
1-4週
包装の細部 :
真空密封カセット瓶のパッケージ
プロダクト :
絶縁材でPiezo
直径 :
4インチ、6インチ
最上層 :
ニオブ酸リチウム
上の厚さ :
300~600nm
日射 :
SiO2熱酸化物
日射の厚さ :
2000±15nm;3000±50nm;4700±100nm
基質 :
ケイ素
適用 :
光学導波管およびMicrowaveguides
記述

LNOI POIの高速調節そして広い帯域幅を可能にすること

 

絶縁材（POI）でPiezo圧電気材料が絶縁の基質に統合される技術を参照する。これは圧電効果の利用を電気分離を提供している間可能にする。感知、適用を収穫する作動およびエネルギーのための圧電気材料の独特な特性を利用するシステムおよびPOIの技術はさまざまな装置の開発を可能にする。

 

POIの（絶縁材でPiezo）技術は電気分離と圧電気材料の利点を結合する機能による異なった分野でさまざまな適用を見つける。センサーのような、Microelectromechanicalシステムおよびエネルギー蓄積および生成。

 

絶縁の基質に圧電気材料の多様な分野の革新的な解決のための可能性を、電子工学を含んで、エネルギー開発するために、統合の多様性ヘルスケア、およびもっと。

 

 

LNOIのウエファー
構造 LN/SiO2/Si LTV/PLTV < 1="">∗ 5 mm2の）/95%
直径 Φ100 ± 0.2 mm 端Exclution 5つのmm
厚さ 500 ± 20のμm 弓 50 μmの中では
第一次平らな長さ 47.5 ± 2つのmm
57.5 ± 2つのmm		 端のトリミング 2 ± 0.5 mm
ウエファーの斜角が付くこと タイプRの 環境 Rohs 2.0
上LNの層
平均厚さ 400/600±10 nm 均等性 < 40nm="">
屈折の索引 > 2.2800無し、ne < 2=""> オリエンテーション Ｘ軸の± 0.3°
等級 光学 表面のRA < 0="">
欠陥 >1mmどれも;
≦300の合計内の1つのmm		 薄片分離 どれも
傷 >1cmどれも;
3の内の≦1cm		 第一次平たい箱 垂直への+ Ｙ軸の± 1°
分離SiO2つの層
平均厚さ 2000nm ± 15nm 3000nmの± 50nm 4700nmの± 100nm 均等性 <>
すてき。方法 熱酸化物 屈折の索引 1.45-1.47 @ 633 nm
基質
材料 Si オリエンテーション <100> ± 1°
第一次平らなオリエンテーション <110> ± 1° 抵抗 > 10 kΩ·cm
裏側の汚染 目に見える汚れ無し 裏側 腐食

 

 

LNOI POIの高速調節および広い帯域幅の圧電気のウエファーLNOI POIの高速調節および広い帯域幅の圧電気のウエファー

 


 

LNOI POIの高速調節および広い帯域幅の圧電気のウエファー

 

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型式番号 :
LNOIのウエファー
原産地 :
中国
MOQ :
25個
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供給の能力 :
1000 PC/月
受渡し時間 :
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Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.

Verified Supplier
4 年数
shanghai, hangzhou
ありがとうございました 1999
事業形態 :
Manufacturer, Trading Company
主な製品 :
, ,
年間総額 :
800M-1500M
従業員数 :
10~99
認証レベル :
Verified Supplier
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