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IRLML2060TRPBF インフィニオン シングルNチャネルヘックスフェット パワーモスフェット
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仕様
記述 :
IRLML2060TRPBF IRLML2060 60V シングルNチャネルHEXFET パワーMOSFET マイクロ3パッケージ
ストック :
100000
タイプ :
N-Channel MOSFET
下水管源の電圧（VDS） :
20V
ゲートの境界の電圧（Vgs （Th）） :
1Vから3V
ゲート・ソースの最大電圧 (Vgs) :
±12V
オン抵抗（RDS （）） :
0.025Ω Vgs = 4.5V
総ゲート充満（Qg） :
10nC
パッケージの種類 :
SOT-23
動作温度範囲 :
-55°Cへの+150°C
準拠性 :
ローズ・コンパイル
記述

部分番号: IRLML2060TRPBF

製品概要:についてIRLML2060TRPBF高性能なNチャネルMOSFETこのコンポーネントは,効率的なスイッチ,低電阻,コンパクトなパッケージで高速性能を必要とするアプリケーションのために設計されています.

主要な特徴:

  1. タイプ: NチャネルMOSFET
  2. 排気源電圧 (Vds): 20V
  3. 連続流出電流 (Id): 6.3A
  4. ゲートスリージングル電圧 (Vgs ((th)): 1Vから3V
  5. ゲート・ソース最大電圧 (Vgs): ±12V
  6. オンレジスタンス (Rds ((オン)): 0.025Ω Vgs = 4.5V
  7. 総ゲートチャージ (Qg): 10nC
  8. パッケージタイプ: SOT-23
  9. 動作温度範囲: -55°Cから+150°C
  10. 準拠性 RoHS に準拠する

適用分野:

  • アプリケーションを切り替える:高速スイッチ回路で使用するのに最適です.
  • 負荷スイッチ:低電阻と効率的な負荷切り替えを必要とするアプリケーションに適しています.
  • DC-DCコンバーター:効率の向上のために電源変換回路で使用されます
  • モータードライブ:モーター制御アプリケーションで信頼性の高いパフォーマンスを提供します
  • バッテリー管理:バッテリー駆動デバイスの効率的なバッテリー使用と保護を保証します.

設置と使用:

についてIRLML2060TRPBF電子回路に簡単に組み込めるように設計されている.SOT-23パッケージは,圧縮式表面マウント技術 (SMT) を印刷回路板 (PCB) に組み込むことが可能である.性能 と 信頼性 を 最大限 に 高める ため に,適切に 操作 し,設置 する こと が 必要 です.

IRLML2060TRPBFを選択する理由:

選択するIRLML2060TRPBF使用していることを確認します.高品質のNチャンネルMOSFETと優れた性能と信頼性このコンポーネントは,あなたの電子システムの効率性と機能性を向上させ,効果的な切り替えそして低電阻.

電子機器の設計を最適化し 優れた性能と信頼性を保証するために 今からIRLML2060TRPBFを購入してください

連絡先:

詳細情報や技術サポートについては,インフィニオン・テクノロジーズのウェブサイトを訪れ,顧客サービスチームに連絡してください.彼らは,あなたが必要とするすべての問い合わせやサポートであなたを助けるために利用できます.

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製品詳細
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IRLML2060TRPBF IRLML2060 60V シングルNチャネルHEXFET パワーMOSFET マイクロ3パッケージ
ストック :
100000
タイプ :
N-Channel MOSFET
下水管源の電圧（VDS） :
20V
ゲートの境界の電圧（Vgs （Th）） :
1Vから3V
ゲート・ソースの最大電圧 (Vgs) :
±12V
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Shenzhen Chive Electronics Co., Ltd.

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2 年数
guangdong, shenzhen
ありがとうございました 2016
主な製品 :
, ,
年間総額 :
15000000-20000000
従業員数 :
50~150
認証レベル :
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