仕様
記述 :
IRF7401TRPBF NチャンネルMOSFET SO-8 20V 5.7A
ストック :
1000000
タイプ :
N-Channel MOSFET
Vds (排水源電圧) :
20V
Rds (オン) (オン抵抗) :
0.022Ω @ 4.5V
Id (連続流出電流) :
5.7A
Vgs(th) (ゲートスロージングル電圧) :
1Vから3V
Qg (総ゲートチャージ) :
9.7nC @ 4.5V
パッケージの種類 :
表面マウント SO-8
動作温度範囲: :
-55°Cへの+150°C
権力 の 消耗 :
2.5W
準拠性 :
ローズ・コンパイル
記述

製品概要

IRF7401TRPBFは高性能のNチャネルMOSFET効率的なスイッチと増幅を必要とする様々なアプリケーションのために設計されています.低電阻と高電流処理能力で知られるこのMOSFETは,電力管理に理想的です.,負荷切換と電子システムにおける DC-DC変換

主要 な 特徴

  • 低オン抵抗 (Rds ((オン)):0.022Ω4.5Vで最小限の電源損失と高効率を保証します
  • 高排水源電圧 (Vds):20V低電圧アプリケーションの幅広い用途に適しています.
  • 高連続流出電流 (Id):5.7A相当な電流の負荷に対応する能力を備えている.
  • 低ゲートスリージングル電圧 (Vgs(th)):1Vから3V簡単に制御し,迅速に切り替えることができます.
  • 総ゲートチャージ (Qg):9.7nC 4.5Vで低ゲート駆動電力で効率的な切り替えを可能にします.
  • コンパクトパッケージ:SO-8表面のマウントが可能になり,コンパクトでスペースが限られた設計に簡単に組み込める.
  • 広範囲の動作温度:-55°Cから+150°C異なる環境条件下で信頼性の高いパフォーマンスを保証します.
  • 高い 電力 流失:2.5W装置が過熱することなく 相当な電力を処理できるようにする.
  • RoHS に準拠する: 環境規制を満たし,環境に優しい設計で使用するのに適しています.

テクニカル仕様

  • タイプ: NチャネルMOSFET
  • Vds (排水源電圧)20V
  • Rds (オン) (オン抵抗):0.022Ω @4.5V
  • Id (連続流出電流): 5.7A
  • Vgs(th) (ゲートスロージングル電圧): 1Vから3V
  • Qg (総ゲートチャージ): 9.7nC @ 4.5V
  • パッケージの種類表面マウント,SO-8
  • 動作温度範囲: -55°Cから+150°C
  • 権力 の 消耗: 2.5W
  • 準拠性: RoHS に準拠する

応用分野

  • 電力管理: 効率的なエネルギー分配と制御を保証する電力管理回路で使用するのに理想的です.
  • 負荷交換: 消費電子機器や工業機器を含む様々な電子アプリケーションで負荷を切り替えるのに適しています.
  • DC-DC変換低電阻と高速スイッチングを提供することで,DC-DCコンバーターの効率と信頼性を向上させる.
  • ポータブル デバイス: ポータブルな電子機器に組み込むのに最適で,コンパクトなパッケージで高性能です.
  • 自動車用電子機器: 厳しい環境でも自動車アプリケーションで信頼性の高い動作を保証します.

設置 と 使用

IRF7401TRPBFは,表面マウント技術 (SMT) に設計されており,印刷回路板 (PCB)適正な操作と配置は,最適なパフォーマンスと信頼性を達成するために不可欠です.

買い物 する 理由

IRF7401TRPBFを選択すると,高品質のNチャンネルMOSFET低電圧抵抗,高電流処理,効率的な切り替えこのコンポーネントは,電子回路の性能と信頼性を向上させ,持続的かつ効率的な性能.

電力管理とスイッチングアプリケーションを最適化するために今日 IRF7401TRPBF を購入してください!

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IRF7401TRPBF NチャンネルMOSFET SO-8 20V 5.7A
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N-Channel MOSFET
Vds (排水源電圧) :
20V
Rds (オン) (オン抵抗) :
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Shenzhen Chive Electronics Co., Ltd.

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guangdong, shenzhen
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15000000-20000000
従業員数 :
50~150
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