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航空部品IRFL4315TRPBF MOSFETの下水管源の絶縁破壊電圧150 V
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仕様
型式番号 :
IRFL4315TRPBF
MOQ :
1 PC
支払の言葉 :
L/C、T/T
包装の細部 :
箱
製造業者: :
INFINEON
製品カテゴリ :
MOSFET
技術 :
Si
様式の取付け :
SMD/SMT
パッケージ/場合 :
SOT-223-4
トランジスター極性 :
N-Channel
ID -連続的な下水管の流れ :
2.6 A
Rdsのオン下水管源の抵抗 :
185のmOhms
記述

航空部品IRFL4315TRPBF MOSFETの下水管源の絶縁破壊電圧150 V

 

 

航空部品の記述:

 

MOSFT 150V 2.6A 185mOhm 19nC

 

航空部品の特徴:

  • 減るために充満を流出させる低いゲート

  • 転換の損失

  • 十分に特徴付けられたキャパシタンスを含む

  • 設計を簡単にする有効なCOSS （見なさい

  • App。ノートAN1001）

  • 十分に特徴付けられたなだれ電圧

  • そして現在

  • 無鉛

航空部品の指定:

 

製品特質 属性値
製造業者: Infineon
製品カテゴリ: MOSFET
RoHS: 細部
技術: Si
様式の取付け: SMD/SMT
パッケージ/場合: SOT-223-4
トランジスター極性: N-Channel
チャネルの数: 1つのチャネル
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧: 150ボルト
ID -連続的な下水管の流れ: 2.6 A
Rdsのオン下水管源の抵抗: 185のmOhms
Vgs -ゲート源の電圧: - 30ボルト、+ 30ボルト
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧: 5ボルト
Qg -ゲート充満: 19 NC
最低の実用温度: - 55 C
最高使用可能温度: + 150 C
Pd -電力損失: 2.8 W
チャネル モード: 強化
包装: 巻き枠
包装: テープを切りなさい
包装: MouseReel
ブランド: インフィニオン・テクノロジーズ
構成: 単一
高さ: 1.6 mm
長さ: 6.5 mm
製品タイプ: MOSFET
工場パックの量: 2500
下位範疇: MOSFETs
トランジスター タイプ: 1つのN-Channel
幅: 3.5 mm
部分#別名: IRFL4315TRPBF SP001556696
単位重量: 0.003951 oz

 

 

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製品詳細
型式番号 :
IRFL4315TRPBF
MOQ :
1 PC
支払の言葉 :
L/C、T/T
包装の細部 :
箱
製造業者: :
INFINEON
製品カテゴリ :
MOSFET
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XIXIAN FORWARD TECHNOLOGY LTD

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3 年数
Shaanxi
ありがとうございました 2010
事業形態 :
Exporter, Trading Company, Seller
主な製品 :
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年間総額 :
7.39 million-8.66 million
従業員数 :
50~55
認証レベル :
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