製品説明:
GT-UVV-LW InGaN ベースのUV光二極光電モード操作
特徴:
概要: インディウムガリウムナイトリドベースの材料
l 光伏モードでの動作
l TO-46 メタルホイジング
l 高い応答性と低いダーク電流
応用:UVLEDモニタリング,UV放射線量測定,UVキュリング
パラメータ シンボル 値 単位 最大評価値
動作温度範囲 Topt -25〜85 oC
保存温度範囲 Tsto -40〜85 oC
溶接温度 (3秒) Tsol 260 oC
逆電圧 Vr-最大 -10 V
一般特性 (25 oC) チップサイズ A 1 mm2 ダーク電流 (Vr = -1 V) Id
< 1 nA 温度係数 Tc 0.05 %/ oC 容量 (0 V と 1 MHz) Cp 60 p>
仕様:
仕様 | パラメータ |
ピーク波長 | 390nm |
光敏感性 | 0.289A/W |
スペクトル応答範囲 (R=0.1×Rmax) | - 290~440 nm |
紫外線可視拒絶率 (Rmax/R400 nm) | - >10 |