超小型内抵抗超接合 MOSFET/SJ MOSTET
スーパージャンクションMOSFET (SJ MOSFET) は,多層エピタキシープロセスで製造されるSi超ジャンクション金属酸化物半導体トランジスタの一種である.伝統的な溝プロセスと比較して,優れた抗EMIと抗急増機能を持っています, LEDドライバ,PFC回路,スイッチング電源,連続電源システムのUPS,新しいエネルギー電源機器に適しています.SJ MOSFET には,超低の結合容量と超小の内部抵抗も含まれています.高速スイッチングアプリケーションに適している.
SJ MOSFETの他のデバイス技術に対する利点は,優れたAnti-EMIとAnti-Surge機能,超低の接続容量,超小の内部抵抗,高速スイッチアプリケーションに適しているまた,LEDドライバー,PFC回路,スイッチング電源,連続電源システムのUPS,新しいエネルギー電源機器にも適しています.
パラメータ | 詳細 |
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製品名 | 超交差点MOSFET/SJ MOSTET |
装置の種類 | 電源を分離する装置 |
タイプ | N |
適用する | LEDドライバ,PFC回路,スイッチング電源,UPSの連続電源システム,新しいエネルギー電源機器,など |
パッケージ | 超小型パッケージ |
内面 の 抵抗 | 極小な内抵抗 |
容量 | 超低回路容量 |
EMI マージン | 高いEMI手数料 |
利点 | 多層エピタキシープロセスによって作られています. トレンチプロセスと比較して,それは優れた反EMIと反急増能力を有しています. |
REASUNOS スーパージャンクション MOSFETは,LEDドライバー,PFC回路,スイッチング電源,UPS Of Continuous Power Supply System,新エネルギー発電設備, etc. この製品は中国広東で製造され,内部抵抗が非常に小さいN型,結合容量が非常に低い.この製品は競争力のある価格で,防塵性があります.防水性配送時間は,総数量に応じて2~30日です. 支払い条件は,100%T/T (EXW) 前払いです.供給能力は5KK/月.
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スーパー・ジャンクション MOSFET 製品は,以下の材料で梱包され出荷されます.