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STD3N95K5AG
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仕様
記述 :
STD3N95K5AGは,MOSFET (金属酸化半導体フィールド効果トランジスタ) チップのカテゴリに属し,特に
ストック :
5200〜2000
最低注文量 :
1000PCS
支払条件 :
T/T
輸送方法 :
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
排水源の断熱電圧 (Vds) :
950V
連続的な下水管の流れ（ID） :
2A
ゲート源の電圧（VGS） :
最大30V
ゲート充満（Qg） :
3.4 nC
記述

STD3N95K5AGは,MOSFET (金属酸化半導体場効果トランジスタ) チップ,特にNチャネルパワーMOSFETのカテゴリーに属しています.これは,STD3N95K5AGチップの詳細な説明です.:

基本情報

  • 製造者STMマイクロ電子機器
  • パッケージ: TO-252 (一部の情報では TO-252-3 が指定されることがありますが,これは特定のタイプまたはパッケージの変種かもしれません)
  • FETタイプNチャンネル

基本規格

  • 排水源の断熱電圧 (Vds): 950V
  • 連続流出電流 (Id)2A
  • オン状態の排水源抵抗 (Rds On): 4.3 オーム (典型)
  • ゲート・ソースの電圧 (Vgs): 最大30V
  • ゲート・ソース 限界電圧 (Vgs th)3V
  • ゲートチャージ (Qg)■ 3.4cc
  • 最低動作温度: -55°C
  • 最大動作温度: +150°C
  • 電力分散 (Pd): 45W
  • チャンネルモード: 強化
  • 資格: AEC-Q101 (自動車用電子部品の品質基準の遵守を示す)

主要 な 特徴

  • 高電圧容量:高電圧用には適した,最大950Vの脱水源断熱電圧に耐える.
  • 低抵抗: オン状態では低排出源のオン抵抗を提供し,エネルギー損失を減らすのに役立ちます.
  • 急速 切り替える 特性: 短時間上昇 (13.5 ns),低速度転落 (32.5 ns),遅延オン (8.5 ns),遅延オフ (20.5 ns) の特徴があり,高速スイッチを必要とするアプリケーションに適しています.
  • 自動車用: AEC-Q101 資格を持つSTD3N95K5AGは,特に高品質で長期サポートを必要とする自動車電子機器やその他のアプリケーションに適しています.

応用分野

STD3N95K5AGチップは,高電圧能力,低電圧抵抗,高速スイッチ機能により,自動車電子,パワー電子,産業制御,他の分野電気自動車の駆動システム,電源変換機,モーター制御など,高電圧,高電流,高周波のスイッチを必要とするアプリケーションに優れています.STD3N95K5AG

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製品詳細
記述 :
STD3N95K5AGは,MOSFET (金属酸化半導体フィールド効果トランジスタ) チップのカテゴリに属し,特に
ストック :
5200〜2000
最低注文量 :
1000PCS
支払条件 :
T/T
輸送方法 :
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
排水源の断熱電圧 (Vds) :
950V
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Sensor (HK) Limited

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shenzhen
ありがとうございました 2012
主な製品 :
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年間総額 :
10000000-15000000
従業員数 :
160~200
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