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コンパクトで軽量なIGBTモジュール KES650H12A8L-2M
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仕様
記述

KES650H12A8L-2M

  • トレンチFS IGBT テクノロジーの高い電源密度

  • 低VCE (座っている)

  • 平行操作が可能;対称設計と正温係数

  • 低誘導性設計

  • 統合されたNTC温度センサー

  • DBC技術を用いた隔離基板

  • 鋳造された端末でコンパクトで頑丈な設計

内部回路図

コンパクトで軽量なIGBTモジュール KES650H12A8L-2M

仕様のパラメータ

タイプ VBR
ウォルト		 VGS (th)
ウォルト		 ID
アムペア		 RDS (オン)
mΩ		 IDSS
uA		 TJさん 第3回 (JC)
K/W		 Ptot
ワット		 サーキット パッケージ テクノロジー
KES400H12A8L-2M 1200V 3.2V 400A 3.7mΩ 200uA 175°C 0.064 2230W 2 パック ECDUAL3 SIC MOSFET
KES650H12A8L-2M 1200V 3.2V 650A 2.2mΩ 200uA 175°C 0.064 3200W 2 パック SIC MOSFET


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Krunter Future Tech (Dongguan) Co., Ltd.

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dongguan
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