低電圧操作メタルオキシド半導体携帯電子機器用フィールド効果トランジスタ中国からのビデオ

Jun 14, 2025

214 意見

製品説明: 低電圧操作メタルオキシド半導体携帯電子機器用フィールド効果トランジスタ製品説明: 低電圧MOSFETは高効率で鉛のないもので環境に優しい製造のための RoHS基準を満たしていますシステムだけでなく地球にも良いことを保証します.低電圧MOSFETの主要な利点はシステムの効率の向上もっと学ぶ

低電圧操作メタルオキシド半導体携帯電子機器用フィールド効果トランジスタ

低電圧操作メタルオキシド半導体携帯電子機器用フィールド効果トランジスタ

注文の要求に応じて

注文の要求に応じて

今連絡してください

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Active Member

1 年数

高速スイッチング高出力 MOSFET Nチャネル安定型モータードライバー

高速スイッチング高出力 MOSFET Nチャネル安定型モータードライバー

高速スイッチング高出力 MOSFET Nチャネル安定型モータードライバー

頑丈な設計高電源 MOSFET 30V 断絶しない電源

頑丈な設計高電源 MOSFET 30V 断絶しない電源

頑丈な設計高電源 MOSFET 30V 断絶しない電源

シリコンカービッドMOSFETのRDSが低い

シリコンカービッドMOSFETのRDSが低い

シリコンカービッドMOSFETのRDSが低い

40A150V SBT40U150CT 低前電圧,高前電波能力

40A150V SBT40U150CT 低前電圧,高前電波能力

40A150V SBT40U150CT 低前電圧,高前電波能力

20A150Vプランナー・ショットキーバリアダイオード ACをDCに変換する MBR20150FCT

20A150Vプランナー・ショットキーバリアダイオード ACをDCに変換する MBR20150FCT

20A150Vプランナー・ショットキーバリアダイオード ACをDCに変換する MBR20150FCT

10A HBT10L200SFCT TO-220F パッケージ付き低周波ダイオード

10A HBT10L200SFCT TO-220F パッケージ付き低周波ダイオード

10A HBT10L200SFCT TO-220F パッケージ付き低周波ダイオード

バッチを交換する

LG50N10AD TO-252 低電圧モスフェット持続効率

LG50N10AD TO-252 低電圧モスフェット持続効率

詳細を見る

LT40P04AD TO-252 パッケージ低電源 Pチャネルモスフェット

LT40P04AD TO-252 パッケージ低電源 Pチャネルモスフェット

詳細を見る

50A 200V 低ゲート電圧モスフェット高効率

50A 200V 低ゲート電圧モスフェット高効率

詳細を見る

120A 85V TO-220F パッケージ低電圧モスフェット LG120N085AP

120A 85V TO-220F パッケージ低電圧モスフェット LG120N085AP

詳細を見る

160A 60V 高級トレンチ低電圧 MOSFET TO-220F 負荷スイッチ

160A 60V 高級トレンチ低電圧 MOSFET TO-220F 負荷スイッチ

詳細を見る

類別別で類似した商品を検索:

供給者のホームページ製品

MachineU ビデオチャンネル化学薬品無機化学物質酸化物

連絡するサプライヤー

メッセージ*

メール*

電話やWhatsApp*

名前

会社

提出する要件

24時間以内に返信してください.

確認したサプライヤーの対応サービスがほしい