Jul 10, 2025
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製品説明: 充電台用の超低内抵抗高電圧MOSFET   特徴 • ゲート 料金 の 低さ •チップ面積あたりRDS (オン) が低い (Low FOM) • 切り替えと伝導損失が非常に少ない • 非常高い変換耐久性   応用 • ソーラー インバーター • LCD/LED/PDPテレビ • 電気通信/サもっと学ぶ
超低内抵抗 高電圧 MOSFET TO-220F 充電台用

超低内抵抗 高電圧 MOSFET TO-220F 充電台用
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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

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