BSC109N10NS3G npn電源トランジスタ 109N10NS nチャンネルモスフェット 100V 63A TDSON-8 OptiMOS
特徴
· 高周波アプリケーションでは非常に低いゲートチャージ
■DC-DC変換に最適化されたNチャンネル,通常のレベル
■優れたゲート料金 × RDs (製品) (FOM)
抵抗が非常に低い RDs (オン)
・150°Cの動作温度
· Pb のない鉛塗装; RoHS に準拠
■JEDEC1) に基づいて対象アプリケーションに適格
■ lEC61249-2 に基づくハロゲンフリー
申請
一般用途のアンプとスイッチングアプリケーションで使用するために設計された.
日付表
製品属性 | 属性値 |
---|---|
インフィニオン | |
製品カテゴリー: | MOSFET |
そうだ | |
SMD/SMT | |
TDSON-8 | |
Nチャンネル | |
1 チャンネル | |
100V | |
63A | |
10.9mOhms | |
- 20V, + 20V | |
3.5V | |
35 nC | |
- 55°C | |
+150C | |
78W | |
強化 | |
リール | |
切断テープ | |
ブランド: | インフィニオン・テクノロジーズ |
構成: | シングル |
秋の時間 | 5 ns |
前向トランスコンダクタンス - Min: | 29 S |
高さ: | 1.27mm |
長さ: | 5.9mm |
製品タイプ: | MOSFET |
昇る時間: | 7 ns |
工場用 梱包量: | 5000 |
サブカテゴリ: | MOSFET |
トランジスタタイプ: | 1 Nチャネル |
典型的な切断遅延時間: | 19 ns |
典型的オンアップ遅延時間: | 12 ns |
幅: | 5.15mm |
部分# 偽名 | SP000778132 BSC19N1NS3GXT BSC109N10NS3GATMA1 |
単位重量: | 0.010582オンス |
交通 支払い
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