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HIP4081AIBZ IC HALF/FULL橋DRVR 20SOIC Renesas電子工学アメリカ株式会社
HIP4081AIBZ IC HALF/FULL橋DRVR 20SOIC Renesas電子工学アメリカ株式会社
仕様
型式番号 :
HIP4081AIBZ
MOQ :
1
支払の言葉 :
T/T
供給の能力 :
在庫
受渡し時間 :
3-5の仕事日
包装の細部 :
帯電防止袋及び板紙箱
出力構成 :
半分橋、完全な橋
適用 :
DCモーター、一般目的
インターフェイス :
論理、PWM
負荷タイプ :
容量性および抵抗
技術 :
N-Channel MOSFET
Rdsの（タイプ） :
-
現在-出力/チャネル :
-
現在-ピーク出力 :
2.6A
電圧-供給 :
9.5V | 15V
電圧 - 負荷 :
8V～15V
実用温度 :
-40°C | 85°C （TA）
特徴 :
ブートストラップ回路
欠陥の保護 :
-
タイプの取付け :
表面の台紙
パッケージ/場合 :
20-SOIC （0.295"、7.50mmの幅）
製造者装置パッケージ :
20-SOIC
記述

HIP4081AIBZ IC HALF/FULL橋DRVR 20SOIC Renesas電子工学アメリカ株式会社

プロダクト細部

記述:
Renesas HIP4081AIBZのゲートの運転者はSOIC広い20場合で包まれる高周波完全な橋FETの運転者である。9.5-15Vからの供給電圧の範囲および35 nsの上昇時間によって、彼らは速い転換の性能を要求する適用のために完全である。
特徴:
- 35ナノ秒の速い上昇時間
- 9.5-15Vの供給電圧の範囲
- SOIC広い20場合で包む
- -40°Cへの+85°Cの温度較差
適用:
の高さの速度の転換の適用
力の供給の設計
-運動制御
-制御をつけること
-デジタル音声

指定

属性属性値
製造業者Renesas
製品カテゴリゲートの運転者
シリーズHIP4081A
プロダクト半橋運転者
タイプ高周波完全な橋FETの運転者
包装管
単位重量0.018953 oz
土台式SMD/SMT
最高使用可能温度+ 85 C
実用温度範囲- 40 C
落下時間35 ns
立上り時間35 ns
供給電圧最高15ボルト
供給電圧分9.5 V
パッケージ場合SOIC広い20

記述

運転者2.5A 4-OUT高低の側面完全なBrdg/半分のBrdg Inv/非Inv自動車20 Pin SOIC Wの管
ゲートの運転者80 VDC HI FREQ H-BRDG DRVR W/STAR
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HIP4081AIBZ IC HALF/FULL橋DRVR 20SOIC Renesas電子工学アメリカ株式会社

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製品詳細
型式番号 :
HIP4081AIBZ
MOQ :
1
支払の言葉 :
T/T
供給の能力 :
在庫
受渡し時間 :
3-5の仕事日
包装の細部 :
帯電防止袋及び板紙箱
連絡するサプライヤー
HIP4081AIBZ IC HALF/FULL橋DRVR 20SOIC Renesas電子工学アメリカ株式会社

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 年数
shenzhen
ありがとうございました 2005
事業形態 :
ディストリビューター/Wholesaler, Trading Company
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-3000000
従業員数 :
100~150
認証レベル :
Verified Supplier
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