STMicroelectronicsのVN5160STR-Eは強力なN-channelの外的なMOSFETsを運転するための高性能スマートな力MOSFETの運転者である。それに高圧およびhigh-current負荷の速い切換えを可能にする作り付けのhigh-currentターミナルがある。VN5160STR-Eは作り付けの診断および負荷に安全な、信頼できる供給を提供する保護機能のスマートな埋め込まれた解決である。それは2.5kHzまでの調節可能な頻度のパルス幅変調(PWM)の入力制御、および2µsよりより少しの速いオン・タイム伝搬遅延を特色にする。VN5160STR-Eはまた一定したオン・タイム(折畳み式ベッド)制御を支え、容易に最低の外的な部品とのこの制御方式を適用することをシステム設計者を許可する。それにまた最適の効率を提供する6.1mΩの低いオン抵抗がある。さらに、VN5160STR-Eは過電流保護、不足電圧閉鎖、積み過ぎの保護および運転者、負荷および電源を保護するために熱操業停止を提供する。VN5160STR-EはシステムPCBのに容易な統合のためのSO8パッケージ入って来。適用はLEDの運転者、DC/DC、および力インバーター含んでいる。