May 09, 2025
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製品説明: フラッシュ・メモリの破片S25HS512TFABHI010の集積回路の破片24-TBGA ICの破片   S25HS512TFABHI010の製品の説明 S25HS512TFABHI010は各記憶ビットの消された状態論理論理0 (低速)への1.のプログラミング変更論理1 (最高)である。消去操もっと学ぶ
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