トランジスターIMZA120R014M1HXKSA1 1200V 14mΩ SiC堀MOSFET TO247のパッケージ

CoolSiC™ 1200ボルト、信頼性と性能を結合するために最大限に活用される最新式の堀の半導体プロセスのTO247-4パッケージの造りの14のmΩ SiC MOSFET。従来のケイ素（Si）と比較してIGBTsおよびMOSFETsのようなスイッチを、SiC MOSFETある一連の利点が基づかせていた。これらは1200のVスイッチに、見られる最も低いゲート充満および装置キャパシタンスレベル、内部代わりの証拠ボディダイオードの逆の回復損失、温度の独立した低い転換の損失および境界なしのオン州char4acteristic含んでいない。CoolSiC™のMOSFETsは力率訂正（PFC）回路のようなハードおよび共鳴切換えの地勢学、二方向の地勢学およびDC-DCのコンバーターまたはDC-ACインバーターにとって理想的である。

FETのタイプ:

N-Channel

源の電圧（Vdss）に流出させなさい:

1200ボルト

Vgs （最高）:

+20V、-5V

電力損失（最高）:

455W （Tc）

パッケージ/場合:

TO-247-4

ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）:

15V、18V

FAQ

Q.あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fetのトランジスター14mohm SiC堀MOSFET TO247

型式番号 :

IMZA120R014M1HXKSA1

原産地 :

最小注文数量 :

支払い条件 :

T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

供給能力 :

5000

包装の細部 :

元の工場

連絡するサプライヤー

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Verified Supplier

3 年数

shenzhen

事業形態 :

ディストリビューター/卸し業者

主な製品 :

, ,

年間総額 :

1000000-2000000

従業員数 :

20~50

認証レベル :

Verified Supplier

IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fetのトランジスター14mohm SiC堀MOSFET TO247

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